氮化物系发光装置(半导体激光装置(51a))具备：氮化物系半导体发光元件(半导体激光元件(11))，其在AlxGa1‑xN(0≤x≤1)基板(GaN基板(101))上具有从AlxGa1‑xN基板侧依次层叠了第一包层(103)、第一光导层(105)、量子阱活性层(106)、第二光导层(107)及第二包层(109)的多层构造；以及底座基板(122)，其用于安装氮化物系半导体发光元件，氮化物系半导体发光元件安装于底座基板(122)使得多层构造与底座基板(122)对置，底座基板(122)由金刚石形成，在氮化物系半导体发光元件中，在AlxGa1‑xN基板侧形成有凹型的翘曲。