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公开(公告)号：CN118974948A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202380030384.9
申请日：2023-02-24
申请人： 新唐科技日本株式会社
IPC分类号： H01L29/812 , H01L21/28 , H01L21/337 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/808
摘要： 在半导体装置(100)中，栅极电极(140)包括与势垒层(104)肖特基接合的接合部(141)以及比接合部(141)伸出的伸出部(142d)。绝缘层(130)包括第1侧壁(133d)和第2侧壁(133s)。伸出部(142d)包括第1栅极场板(143)和第2栅极场板(144)。第1栅极场板(143)的下表面最高位置(P2)从第1位置(P0)来看具有第2仰角(θ2)的倾斜，第2栅极场板(144)的下表面最低位置的漏极电极侧端(P3)从第1位置(P0)来看具有第3仰角(θ2)的倾斜。第2仰角(θ2)比第3仰角(θ3)大。第2栅极场板(144)的下表面包括单调增加的倾斜面(144c)。
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公开(公告)号：CN118970619A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411048628.9
申请日：2018-04-12
申请人： 新唐科技日本株式会社
IPC分类号： H01S5/024 , H01S5/02315 , H01S5/343
摘要： 氮化物系发光装置(半导体激光装置(51a))具备：氮化物系半导体发光元件(半导体激光元件(11))，其在AlxGa1‑xN(0≤x≤1)基板(GaN基板(101))上具有从AlxGa1‑xN基板侧依次层叠了第一包层(103)、第一光导层(105)、量子阱活性层(106)、第二光导层(107)及第二包层(109)的多层构造；以及底座基板(122)，其用于安装氮化物系半导体发光元件，氮化物系半导体发光元件安装于底座基板(122)使得多层构造与底座基板(122)对置，底座基板(122)由金刚石形成，在氮化物系半导体发光元件中，在AlxGa1‑xN基板侧形成有凹型的翘曲。
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公开(公告)号：CN118922835A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202380025683.3
申请日：2023-02-24
申请人： 新唐科技日本株式会社
摘要： 在根据输入数据(x1～xn)与耦合权重系数(w1～wn)的积和运算结果来输出输出数据(y)的神经网络运算电路中，表现一个耦合权重的运算电路单元(PU1)具备多个选择晶体管(TPU1、TPL1、TNU1、TNL1)以及多个非易失性电阻变化元件(RPU1、RPL1、RNU1、RNL1)，非易失性电阻变化元件以不同的负载表现权重系数。非易失性电阻变化元件(RPU1、RPL1、RNU1、RNL1)分别保持针对正权重系数的绝对值的高位的位的信息、针对正权重系数的绝对值的低位的位的信息、针对负权重系数的绝对值的高位的位的信息、针对负权重系数的绝对值的低位的位的信息。
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公开(公告)号：CN118843944A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202380026972.5
申请日：2023-02-17
申请人： 新唐科技日本株式会社
IPC分类号： H01L29/812 , H01L21/28 , H01L21/338 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/41 , H01L29/417 , H01L29/778
摘要： 高频放大用半导体装置(100)具备衬底(101)，衬底(101)上的第1氮化物半导体层(103)、二维电子气层(105)及第2氮化物半导体层(104)、以及在第2氮化物半导体层(104)的上方相互隔开间隔设置的源极电极(301)、漏极电极(302)及栅极电极(401)，在平面观察中，在存在二维电子气层(105)的有源区域(701)中，具有电阻体(601)和设在第2氮化物半导体层(104)的上方的电阻体(601)，在平面观察中，在非有源区域(704)中，具有与漏极电极(302)或栅极电极(401)连接的漏极端子(803)及栅极端子(804)、以及电阻体(601)所连接的第1电阻端子(805)及第2电阻端子(806)。
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公开(公告)号：CN118715710A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202380022008.5
申请日：2023-02-10
申请人： 新唐科技日本株式会社
发明人： 山平征二
摘要： 振荡电路(100)具备振子(101)以及将振子(101)的电压放大的放大电路(A1)；放大电路(A1)具备：第1变换器(INV102)，将第1输入信号向第1节点(Np)和第2节点(Nn)输出；以及第2变换器(INV103)，以第1节点(Np)和第2节点(Nn)的信号为输入，将输出信号向第3节点(ND2)输出；放大电路(A1)还具有可变电阻(R102)，该可变电阻(R102)连接在第1节点(Np)与第2节点(Nn)之间，受控制信号控制。
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公开(公告)号：CN113518917B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202080018278.5
申请日：2020-01-14
申请人： 新唐科技日本株式会社
摘要： 气体传感器(100)具备：包含第1电极(105)、金属氧化物层(106)及第2电极(108)的气体探测元件；和具有使第2电极(108)的一部分露出的开口且将第1电极(105)、金属氧化物层(106)及第2电极(108)的另一部分覆盖的第1绝缘膜(109)。金属氧化物层(106)具备通过第2电极(108)与包含氢原子的气体分子相接触从而电阻值发生变化的特性，在金属氧化物层(106)与第2电极(108)的界面的在平面图中位于开口(109a)内的部分中形成第1高低差(121)，在金属氧化物层(106)中的第1高低差(121)的附近形成有局部区域(107)，局部区域(107)中的氧不足度大于金属氧化物层(106)的其他区域中的氧不足度。
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公开(公告)号：CN118661095A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202280088763.9
申请日：2022-12-22
申请人： 新唐科技日本株式会社
IPC分类号： G01N27/12
摘要： 氢检测方法是使用了具备金属氧化物层(104)、与金属氧化物层(104)面接触的第二电极(106)、以及与第二电极(106)连接的第一端子(111)和第二端子(112)的氢传感器(1)的氢检测方法，包括：第一步骤(S11)，通过在第一端子(111)及第二端子(112)之间施加第一电压脉冲，从而产生金属氧化物层(104)与氢的化学反应；以及第二步骤(S12)，在第一步骤之后，通过对第一端子(111)及第二端子(112)之间施加第二电压脉冲来检测第一端子(111)及第二端子(112)之间的电阻的变化，第二电压脉冲的振幅小于第一电压脉冲的振幅。
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公开(公告)号：CN113906732B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202080039147.5
申请日：2020-05-14
申请人： 新唐科技日本株式会社
IPC分类号： H04N25/59 , H04N25/621 , H04N25/771 , H04N25/78
摘要： 固体摄装置具备：溢出元件群，积蓄在光电二极管(PD)中溢出的信号电荷；以及浮动扩散层(FD)，有选择地保持从光电二极管(PD)传输来的信号电荷及从溢出元件群传输来的信号电荷；溢出元件群以溢出元件(OF1)和积蓄电容元件(C1)为1组，由串联地级联连接的m组(m≥2)构成；溢出元件(OF1～OFm)将在光电二极管(PD)中溢出的信号电荷或前级的积蓄电容元件(C1)的信号电荷向与该溢出元件(OF1～OFm)相同的组内的积蓄电容元件(C1～Cm)传输。
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公开(公告)号：CN118448248A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410594057.2
申请日：2022-07-06
申请人： 新唐科技日本株式会社
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/60
摘要： 能够面朝下安装的芯片尺寸封装型的半导体装置，具有：半导体衬底；以及金属层，形成于半导体衬底，露出到外部；在金属层的露出面，形成有1个以上的标记；标记包括形成标记的轮廓的轮廓部和位于轮廓部的内侧的中央部；在对金属层的露出面进行平面观察时，轮廓部包括第1区域和第2区域，第1区域与中央部相接，第2区域与第1区域相接并且比第1区域距中央部远；第1区域的表面粗糙度比基体部大，基体部是金属层的露出面中的没有形成标记的部分；第2区域具有比第1区域的宽度大的宽度，第2区域的表面粗糙度比第1区域小；第2区域被氧化，与基体部或中央部相比，第2区域的颜色不同。
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