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公开(公告)号：CN118679654A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202280091379.4
申请日：2022-11-10
申请人： 新唐科技日本株式会社
摘要： 一种氮化物系半导体发光元件(100)，其具备：由GaN构成的衬底(101)、被配置在衬底(101)的上方的由AlGaN构成的第一包覆层、被配置在衬底(101)的上方的活性层(105)、以及被配置在第一包覆层与活性层(105)之间的第一半导体层，活性层(105)具有由氮化物系半导体构成的阱层(105b)以及含有Al的由氮化物系半导体构成的势垒层(105a)和(105c)，第一半导体层的平均带隙能量比第一包覆层的平均带隙能量小，第一半导体层由AlGaInN构成。
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公开(公告)号：CN117063359A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202280022198.6
申请日：2022-03-14
申请人： 新唐科技日本株式会社
IPC分类号： H01S5/343
摘要： 氮化物系半导体发光元件(100)具备：N型包覆层(102)、N侧第1引导层(103)、N侧第2引导层(104)、具有阱层(105b)和势垒层(105a)的活性层(105)、以及P型包覆层(108)，势垒层(105a)的带隙能量比N侧第2引导层(104)的带隙能量大，N侧第2引导层(104)的带隙能量比N侧第1引导层(103)的带隙能量小，N侧第1引导层(103)的带隙能量比N型包覆层(102)的带隙能量小，各包覆层、各引导层、以及势垒层(105a)由含有Al的氮化物系半导体构成。
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公开(公告)号：CN111937261B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201980020756.3
申请日：2019-01-28
申请人： 新唐科技日本株式会社
IPC分类号： H01S5/343
摘要： 半导体发光元件(100)具备：GaN衬底(11)；被配置在GaN衬底(11)的上方且包括第1导电型的氮化物系半导体的第1半导体层(12)；被配置在第1半导体层(12)的上方且包括含有Ga或In的氮化物系半导体的活性层(15)；被配置在活性层(15)的上方且包括至少含有Al的氮化物系半导体的电子阻挡层(18)；以及被配置在电子阻挡层(18)的上方且包括与第1导电型不同的第2导电型的氮化物系半导体的第2半导体层(19)，电子阻挡层(18)具有：Al组成比以第1变化率来变化的第1区域；以及被配置在第1区域和第2半导体层(19)之间，Al组成比以第2变化率来变化的第2区域，在第1区域以及第2区域中，Al组成比针对从活性层(15)朝向第2半导体层(19)的方向为单调增加，第2变化率比第1变化率大。
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公开(公告)号：CN115362609A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202180025008.1
申请日：2021-04-02
申请人： 新唐科技日本株式会社
摘要： 半导体激光装置(1)具备：N型包覆层(20)、活性层(40)、以及P型包覆层(60)，活性层(40)具有：阱层(41)、被配置在阱层(41)的上方的P侧第1势垒层(43a)、以及被配置在P侧第1势垒层(43a)的上方的P侧第2势垒层(43b)。P侧第2势垒层(43b)的Al组分比，比P侧第1势垒层(43a)的Al组分比高，P侧第2势垒层(43b)的带隙能量，比P侧第1势垒层(43a)的带隙能量大。半导体激光装置(1)具有，前端面(1a)附近的阱层(41)的带隙能量，比谐振器长度方向的中央部的阱层(41)的带隙能量大的端面窗口结构。
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公开(公告)号：CN114747102A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202080079763.3
申请日：2020-11-26
申请人： 新唐科技日本株式会社
IPC分类号： H01S5/343
摘要： 半导体发光元件(1)具备基板(10)、配置在基板(10)的上方的n型包层(12)、配置在n型包层(12)的上方的活性层(14)和配置在活性层(14)的上方的p型包层(17)；活性层(14)具有阱层(14d)、配置在阱层(14d)的n型包层(12)侧的n侧第一势垒层(14a)和配置在阱层(14d)的p型包层(17)侧的p侧势垒层(14f)；p侧势垒层(14f)包含In；n侧第一势垒层(14a)的In组份比低于p侧势垒层(14f)的In组份比；n侧第一势垒层(14a)的带隙能量小于p侧势垒层(14f)的带隙能量。
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公开(公告)号：CN109417274B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN201780039787.4
申请日：2017-05-17
申请人： 新唐科技日本株式会社
摘要： 半导体激光装置(1)具备以第一导电侧半导体层(100)、活性层(300)、第二导电侧半导体层(200)的顺序层叠而成的层叠结构体，第二导电侧半导体层(200)，从活性层(300)近的一侧，依次具有第一半导体层(210)和第二半导体层(220)，针对光波导路的电流注入区域的宽度，由第二半导体层(220)规定，电流注入区域的谐振器长度方向的端部，比前端面(1a)以及后端面(1b)位于内侧，电流注入区域具有宽度发生变化的宽度变化区域，将宽度变化区域的前端面(1a)侧的宽度设为S1，宽度变化区域的后端面(1b)侧的宽度设为S1时，S1＞S2。
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公开(公告)号：CN109417276B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201780039851.9
申请日：2017-06-16
申请人： 新唐科技日本株式会社
IPC分类号： H01S5/343
摘要： 本发明提供一种半导体激光器装置、半导体激光器模块及焊接用激光器光源系统。半导体激光器装置(100)具备第1导电侧的第1半导体层(13)、第1导电侧的第2半导体层(14)、活性层(15)、与第1导电侧不同的第2导电侧的第3半导体层(16)和第2导电侧的第4半导体层(17)，在将第2半导体层(14)以及第3半导体层(16)的带隙能量的最大值分别设为Eg2以及Eg3时，满足Eg2＜Eg3的关系式，第3半导体层(16)具有带隙能量朝向第4半导体层(17)单调减少的第1区域层，在将第2半导体层(14)的杂质浓度设为N2，将第3半导体层(16)的杂质浓度设为N3时，满足N2＞N3的关系式。
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公开(公告)号：CN118970619A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411048628.9
申请日：2018-04-12
申请人： 新唐科技日本株式会社
IPC分类号： H01S5/024 , H01S5/02315 , H01S5/343
摘要： 氮化物系发光装置(半导体激光装置(51a))具备：氮化物系半导体发光元件(半导体激光元件(11))，其在AlxGa1‑xN(0≤x≤1)基板(GaN基板(101))上具有从AlxGa1‑xN基板侧依次层叠了第一包层(103)、第一光导层(105)、量子阱活性层(106)、第二光导层(107)及第二包层(109)的多层构造；以及底座基板(122)，其用于安装氮化物系半导体发光元件，氮化物系半导体发光元件安装于底座基板(122)使得多层构造与底座基板(122)对置，底座基板(122)由金刚石形成，在氮化物系半导体发光元件中，在AlxGa1‑xN基板侧形成有凹型的翘曲。
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公开(公告)号：CN117597841A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202280047450.9
申请日：2022-04-25
申请人： 新唐科技日本株式会社
发明人： 高山彻
IPC分类号： H01S5/343
摘要： 氮化物系半导体发光元件(100)具备半导体层叠体(100S)，半导体层叠体(100S)具有N型第1包覆层(102)、N侧引导层(104)、包括阱层和势垒层的活性层(105)、P侧引导层(106)、以及P型包覆层(110)，P侧引导层(106)的带隙能量随着远离活性层(105)而单调增加，P侧引导层(106)的平均带隙能量在N侧引导层(104)的平均带隙能量以上，势垒层的带隙能量在N侧引导层(104)和P侧引导层(106)的带隙能量的最小值以下，P侧引导层(106)的膜厚比N侧引导层(104)的膜厚大。
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公开(公告)号：CN110402524B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201880017229.2
申请日：2018-02-27
申请人： 新唐科技日本株式会社
摘要： 半导体激光装置(1)在基板(101)的主面的上方，具备第1导电侧半导体层(100)、活性层(300)以及第2导电侧半导体层(200)被依次层叠的层叠构造体，以多模式进行激光振荡，第2导电侧半导体层(200)具有电流阻挡层(240)，所述电流阻挡层(240)具有用于对电流注入区域进行划定的开口部(241)，在层叠构造体中的从第1导电侧半导体层(100)的一部分到第2导电侧半导体层(200)的部分形成一对侧面(105)，活性层(300)具有比开口部(241)的第1宽度宽的第2宽度，第1导电侧半导体层(100)的至少一部分中的一对侧面(105)相对于基板(101)的主面倾斜，对于在层叠构造体中导波的光，基板(101)的主面的法线方向上的光分布的最大强度位置处于第1导电侧半导体层(100)内。
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