Invention Publication
- Patent Title: 一种提高太阳能电池片半切片组件功率的方法
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Application No.: CN202411863952.6Application Date: 2024-12-18
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Publication No.: CN119325300APublication Date: 2025-01-17
- Inventor: 郑波 , 王洪喆 , 陈庆敏 , 李丙科 , 顾君
- Applicant: 无锡松煜科技有限公司
- Applicant Address: 江苏省无锡市新吴区环普路9号11号厂房
- Assignee: 无锡松煜科技有限公司
- Current Assignee: 无锡松煜科技有限公司
- Current Assignee Address: 江苏省无锡市新吴区环普路9号11号厂房
- Agency: 浙江金杜智源知识产权代理有限公司
- Agent 葛天祥
- Main IPC: H10F71/00
- IPC: H10F71/00 ; H01L21/02 ; H01L21/67 ; C23C16/40 ; C23C16/52 ; C23C16/56

Abstract:
本发明提供一种提高太阳能电池片半切片组件功率的方法,包括:(1)提供一个化学气相沉积室,化学气相沉积室内设有载具,载具设有沉积开口,沉积开口上方设有激光光源;(2)将切片放置于载具中并使得所述切片断面从沉积开口完全外露,抽真空,一次通入N2、通入TMA、抽真空、二次通入N2、通入水蒸气、抽真空,以此循环,在切片断面表面沉积氧化铝膜层;(3)采用激光光源对氧化铝膜层照射升温,退火,破真空出腔;步骤(2)中,单个循环中:控制TMA的总气流量小于一次通入N2的总气流量,控制水蒸气的总气流量小于二次通入N2的总气流量。本发明通过优化氧化铝膜层的沉积工艺,降低绕镀,提高组件功率。
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