本公开提供了一种半导体器件、半导体装置和用于制备半导体器件的方法。其中，半导体器件包括：第一电极部；沟道部，位于所述第一电极部的上方且与所述第一电极部电连接，其中，所述沟道部包括第一沟道部分，所述第一沟道部分的在横向方向上的截面呈环状；第二电极部，位于所述沟道部的上方且与所述沟道部电连接；以及栅极部，包括与所述沟道部直接接触的栅介质部分和位于所述栅介质部分的与所述沟道部相对的一侧上的栅电极部分，其中，所述栅极部位于所述沟道部的在竖向方向上延伸的侧壁的至少一部分上。