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公开(公告)号：CN114779570B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202210373942.9
申请日：2022-04-11
Applicant: 西湖大学
Abstract: 本公开涉及一种掩模版、光刻装置和用于制造掩模版的方法，掩模版包括：电解反应层，电解反应层包括电致变色材料；第一控制电路层，第一控制电路层设于电解反应层的第一侧上，且第一控制电路层包括多个第一控制电极；以及第二控制电路层，第二控制电路层设于电解反应层的与第一侧相对的第二侧上，且第二控制电路层包括多个第二控制电极；其中，掩模版中的像素区域的透光状态被配置为由像素区域中包含的第一控制电极的至少一部分和第二控制电极的至少一部分之间的控制电压决定，控制电压通过控制电解反应层中的电致变色材料的离子结合状态来控制像素区域的透光状态。
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公开(公告)号：CN116904314B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202310860621.6
申请日：2023-07-13
Applicant: 西湖大学
Abstract: 一种半导体模具的制备方法和细胞培养板的制备方法，半导体模具的制备方法包括：以图形化的掩膜层为掩膜刻蚀部分厚度的半导体晶片，在掩膜开口底部的半导体晶片中形成第一开孔；在第一开孔的侧壁表面和底部表面形成保护膜；对第一开孔底部的保护膜和半导体晶片进行特征刻蚀，在特征刻蚀中，对第一开孔底部表面的保护膜的中心区的刻蚀速率大于对第一开孔底部表面的保护膜的周缘区的刻蚀速率，对第一开孔底部的半导体晶片的中心区的刻蚀深度大于对第一开孔底部的半导体晶片的周缘区的刻蚀深度，以在第一开孔底部的半导体晶片中形成与第一开孔的侧壁连接的V型开口；之后，去除图形化的掩膜层。降低加工难度，提高加工效率，降低加工成本。
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公开(公告)号：CN114488715B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202210151934.X
申请日：2022-02-18
Applicant: 西湖大学
Inventor： 李西军
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开实施例提出一种光纤阵列光刻机，其包括控制装置、光纤传输装置、光聚焦阵列以及电驱动工件台，还包括光刻光源、退激发光源、第一级分光阵列、电光调制阵列以及第二级分光阵列，所述控制装置与所述电光调制阵列以及所述电驱动工件台连接，所述控制装置用于基于设计版图控制所述电光调制阵列对于所述激光光源发射的激光进行调制以及控制所述电驱动工作台进行运动。本公开实施例避免采用复数个光学透镜或透镜组，从而实现更为简单的光路，制造和维护成本都大大降低；采用多根光纤构成光纤束，实行多光束并行曝光，能够提高光刻效率；采用电光调制阵列实现对光刻的激光光能的开关并结合电驱动工作台的移动，实现光刻的高速图案化功能，采用退激发光和光刻光结合实现光学衍射极限的超分辨光刻。
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公开(公告)号：CN114859649B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202210372723.9
申请日：2022-04-11
Applicant: 西湖大学
Abstract: 本公开涉及一种掩模版、光刻装置和用于制造掩模版的方法，掩模版包括：电解反应层，电解反应层中的金属元素被配置为处于沉积金属状态或溶解离子状态；第一控制电路层，第一控制电路层设于电解反应层的第一侧上，且第一控制电路层包括多个第一控制电极；以及第二控制电路层，第二控制电路层设于电解反应层的与第一侧相对的第二侧上，且第二控制电路层包括多个第二控制电极；其中，掩模版中的像素区域的透光状态被配置为由像素区域中包含的第一控制电极的至少一部分和第二控制电极的至少一部分之间的控制电压决定，控制电压通过控制电解反应层中的金属的沉积量来控制像素区域的透光状态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114488716B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202210152726.1
申请日：2022-02-18
Applicant: 西湖大学
Inventor： 李西军
Abstract: 本公开实施例提供一种光刻用光纤束以及光刻机，所述光刻用光纤束能够至少接收波长不同的曝光高斯光束和退激发高斯光束，其至少包括一根光刻光纤，所述光刻光纤包括用于传输光束的光纤芯，在所述光纤芯的外侧包围设置光纤包层，在所述光纤包层的入射端处设置螺旋相位结构，所述螺旋相位结构用于使得所述退激发高斯光束转换形成甜甜圈状的结构光光束，在所述光纤包层的出射端的外侧设置透镜结构。本公开实施例能够将曝光用光能量直接从光源传递到光刻胶表面，不需要透镜和透镜组，系统易于安装、占据空间小、成本和维护成本也降低；利用单根光纤可以实现至少两束波长不同的光束的同时和同轴传播，大大降低双光束光刻技术空间透镜组调节的技术难度。
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公开(公告)号：CN117623213A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311643236.2
申请日：2023-12-01
Applicant: 西湖大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种具有深层形变通孔的单晶材料基体的加工方法和基体，加工方法包括：提供单晶材料基体，包括在单晶材料基体的厚度方向上由上至下排布的第一区域和第二区域；在第一区域的表面形成图形化的掩膜层；掩膜层具有若干第一图形；以掩膜层为掩膜刻蚀第一区域，使第一区域形成若干初始通孔；在初始通孔的侧壁形成保护层，保护层暴露出初始通孔底部的第二区域的表面；以掩膜层和保护层为掩膜刻蚀第二区域，使初始通孔在第二区域形成贯穿第二区域的扩孔区，从而形成包括初始通孔和扩孔区的深层形变通孔；其中，扩孔区在掩膜层的投影的形状与第一图形的形状不同，且面积大于第一图形。本发明发可在单晶材料基体中形成自上而下结构有变化的通孔。
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公开(公告)号：CN116666192A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310397673.4
申请日：2023-04-04
Applicant: 西湖大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065
Abstract: 一种半导体纤维的制备方法，包括：提供半导体晶片，所述半导体晶片包括在半导体晶片的厚度方向上由下至下排布的第一区晶片和第二区晶片；在所述第一区晶片的表面形成图形化的掩膜层；以所述掩膜层为掩膜刻蚀第一区晶片，使所述第一区晶片形成若干个间隔的初始纤维条；在所述初始纤维条的侧壁形成保护膜，所述保护膜暴露出初始纤维条侧部的第二区晶片的表面；以所述掩膜层和所述保护膜为掩膜侧向刻蚀第二区晶片，使初始纤维条形成与第二区晶片分立的半导体纤维；去除半导体纤维表面的保护膜和掩膜层。所述半导体纤维的制备方法制备半导体纤维的难度较小。
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公开(公告)号：CN116454000A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310415933.6
申请日：2023-04-17
Applicant: 西湖大学
IPC: H01L21/68 , H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/687
Abstract: 一种工艺腔设备、晶圆传送系统及晶圆传送方法，工艺腔设备包括：工艺腔室；位于工艺腔室的内部的基座，基座中具有贯穿基座的开口；顶针，位于所述开口中且能沿着开口上下往复运动，顶针适于支撑晶圆；位置校正单元，位置校正单元包括第一驱动单元和若干个晶圆限位件，所述若干个晶圆限位件位于所述工艺腔室内且高于所述基座，所述若干个晶圆限位件围绕所述基座的中心轴周向排布，所述第一驱动单元用于驱动所述晶圆限位件沿着平行于基座的上表面的中心至边缘的方向往复移动，以使得晶圆限位件与晶圆的侧壁在接触状态和间隔状态之间切换。所述工艺腔设备对传输晶圆过程中晶圆的位置偏差的校正能力提高。
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公开(公告)号：CN115148561A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210805414.6
申请日：2022-07-08
Applicant: 西湖大学
Inventor： 李西军
Abstract: 本公开实施例提出一种电子发射装置以及电子装置，电子发射装置包括耐火容器以及加热电源，在所述空腔部中设置电子发射材料。所述耐火容器的下方设置有电子提取电极板。本公开实施例具有较高的电子的场发射效果，不同发射阵列的电子束流一致性高；采用液体和空腔制备液体针尖能扩大电子发射材料的选择范围，电子提取电场作用下进一步拉抻出半径更小的液体针尖的结构，增强电子的场发射效应，大大提高电子显微镜和电子束曝光的效率，电子发射结构的寿命和容纳的电子发射材料质量成正比，使得电子发生寿命可以比传统的热场发射和冷场发射灯丝寿命有显著延长,可以满足电子束曝光机、扫描电镜、透射电镜和其他X光源的应用。
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