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公开(公告)号：CN119545900A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411718421.8
申请日：2024-11-27
Applicant: 西湖大学
Abstract: 本公开提供了一种半导体器件、半导体装置和用于制备半导体器件的方法。其中，半导体器件包括：第一电极部；沟道部，位于所述第一电极部的上方且与所述第一电极部电连接，其中，所述沟道部包括第一沟道部分，所述第一沟道部分的在横向方向上的截面呈环状；第二电极部，位于所述沟道部的上方且与所述沟道部电连接；以及栅极部，包括与所述沟道部直接接触的栅介质部分和位于所述栅介质部分的与所述沟道部相对的一侧上的栅电极部分，其中，所述栅极部位于所述沟道部的在竖向方向上延伸的侧壁的至少一部分上。
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公开(公告)号：CN114779570B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202210373942.9
申请日：2022-04-11
Applicant: 西湖大学
Abstract: 本公开涉及一种掩模版、光刻装置和用于制造掩模版的方法，掩模版包括：电解反应层，电解反应层包括电致变色材料；第一控制电路层，第一控制电路层设于电解反应层的第一侧上，且第一控制电路层包括多个第一控制电极；以及第二控制电路层，第二控制电路层设于电解反应层的与第一侧相对的第二侧上，且第二控制电路层包括多个第二控制电极；其中，掩模版中的像素区域的透光状态被配置为由像素区域中包含的第一控制电极的至少一部分和第二控制电极的至少一部分之间的控制电压决定，控制电压通过控制电解反应层中的电致变色材料的离子结合状态来控制像素区域的透光状态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115863175A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211739559.7
申请日：2022-12-30
Applicant: 西湖大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/786
Abstract: 一种氧化物半导体薄膜及其制备方法、薄膜晶体管、显示器件，涉及半导体技术领域。该氧化物半导体薄膜的制备方法包括：提供基底；在所述基底上形成氧化物半导体薄膜；其中，所述氧化物半导体薄膜的厚度小于或等于15nm。该氧化物半导体薄膜的制备方法能够具备高迁移率等性能优势。
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公开(公告)号：CN114859649B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202210372723.9
申请日：2022-04-11
Applicant: 西湖大学
Abstract: 本公开涉及一种掩模版、光刻装置和用于制造掩模版的方法，掩模版包括：电解反应层，电解反应层中的金属元素被配置为处于沉积金属状态或溶解离子状态；第一控制电路层，第一控制电路层设于电解反应层的第一侧上，且第一控制电路层包括多个第一控制电极；以及第二控制电路层，第二控制电路层设于电解反应层的与第一侧相对的第二侧上，且第二控制电路层包括多个第二控制电极；其中，掩模版中的像素区域的透光状态被配置为由像素区域中包含的第一控制电极的至少一部分和第二控制电极的至少一部分之间的控制电压决定，控制电压通过控制电解反应层中的金属的沉积量来控制像素区域的透光状态。
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公开(公告)号：CN114690534B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202210373932.5
申请日：2022-04-11
Applicant: 西湖大学
Abstract: 本公开涉及一种掩模版、光刻装置和掩模版的制造方法和基于掩模版的光刻方法，掩模版包括：基板，基板被配置为对用于光刻的曝光光束透光，其中，曝光光束处于第一频带中；以及光致变色层，光致变色层设于基板的一侧上且包括光致变色材料，光致变色层被配置为在具有空间结构的调制光束照射下产生对应的掩模版图案，其中，光致变色材料基于是否被调制光束中的调制光照射到而处于对曝光光束的非透光状态或透光状态，且调制光束处于与第一频带分隔开的第二频带中。
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公开(公告)号：CN115939218A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202310007694.0
申请日：2023-01-04
Applicant: 西湖大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 一种薄膜晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域。该薄膜晶体管的制备方法包括：提供半导体器件，半导体器件包括衬底、依次形成于衬底上的栅极、绝缘层和有源层，以及间隔形成于有源层上的源极和漏极；在半导体器件上形成厚度大于或等于5nm的钝化层；其中，钝化层的材料为氧化锌硅，硅含量大于或等于19wt％；对形成钝化层的器件进行后退火处理。该薄膜晶体管的制备方法能够在不牺牲迁移率的情况下，提高薄膜晶体管的稳定性。
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公开(公告)号：CN221465895U
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202322705088.4
申请日：2023-10-09
Applicant: 西湖大学
IPC: G03F1/00 , G03F7/20 , G02F1/1506 , G02F1/153 , G02F1/155
Abstract: 本公开涉及一种掩模版和光刻装置。掩模版包括电解反应层，电解反应层包括电解质层和位于电解质层的一侧上的第一电解材料层，电解质层被配置为提供和/或接收离子以改变第一电解材料层的透光率；第一控制电路层，包括多个第一控制电极；第二控制电路层，包括多个第二控制电极；以及电隔离层，位于电解质层的至少一侧上，且位于第一控制电路层和第二控制电路层之间；其中，电解反应层满足以下至少之一：电解质层由呈阵列状排布的多个电解质块形成，以及第一电解材料层由呈阵列状排布的多个第一电解材料块形成；其中，在掩模版的法线方向上，电解质块和/或第一电解材料块位于对应的第一控制电极和第二控制电极的交叠部分之间。
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