发明授权
- 专利标题： 氮化铝单晶薄膜及其制备方法
- 专利标题（英）： Aluminium nitride monocrystal film and method of preparing the same
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申请号： CN03132208.5申请日： 2003-07-31
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公开(公告)号： CN1202281C公开(公告)日： 2005-05-18
- 发明人: 康琳 , 吴培亨 , 蔡卫星 , 施建荣 , 陈亚军
- 申请人： 南京大学
- 申请人地址： 江苏省南京市汉口路22号
- 专利权人： 南京大学
- 当前专利权人： 南京大学
- 当前专利权人地址： 江苏省南京市汉口路22号
- 代理机构： 南京苏高专利事务所
- 代理商 柏尚春
- 主分类号： C23C14/35
- IPC分类号： C23C14/35 ; C23C14/08 ; H01L21/00
摘要：
本发明公开了一种氧化镁单晶基片上的氮化铝薄膜及其制备方法，采用射频磁控溅射方法在衬底台不加热的情况下，在氧化镁单晶基片上生长氮化铝薄膜，该薄膜和氧化镁单晶基片衬底间晶格匹配良好，薄膜质量高。本发明广泛应用于微电子和超导电子领域中的高温、高频、大功率和短波长光电器件、压力传感器和热辐射传感器、高频声表面波器件以及电子器件的绝缘层和钝化层的制备和研究。
公开/授权文献
- CN1482274A 氮化铝单晶薄膜及其制备方法 公开/授权日：2004-03-17
IPC分类:
