公开(公告)号：CN1482274A

公开(公告)日：2004-03-17

申请号：CN03132208.5

申请日：2003-07-31

申请人： 南京大学

发明人： 康琳 ,  吴培亨 ,  蔡卫星 ,  施建荣 ,  陈亚军

IPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  H01L21/00

摘要： 本发明公开了一种氧化镁单晶基片上的氮化铝薄膜及其制备方法，采用射频磁控溅射方法在衬底不加热的情况下，在氧化镁单晶基片上生长氮化铝薄膜，该薄膜和单晶基片衬底间晶格匹配良好，薄膜质量高。本发明广泛应用于微电子和超导电子领域中的高温、高频、大功率和短波长光电器件、压力传感器和热辐射传感器、高频声表面波器件以及电子器件的绝缘层和钝化层的制备和研究。

公开(公告)号：CN1202281C

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN03132208.5

申请日：2003-07-31

申请人： 南京大学

发明人： 康琳 ,  吴培亨 ,  蔡卫星 ,  施建荣 ,  陈亚军

IPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  H01L21/00

摘要： 本发明公开了一种氧化镁单晶基片上的氮化铝薄膜及其制备方法，采用射频磁控溅射方法在衬底台不加热的情况下，在氧化镁单晶基片上生长氮化铝薄膜，该薄膜和氧化镁单晶基片衬底间晶格匹配良好，薄膜质量高。本发明广泛应用于微电子和超导电子领域中的高温、高频、大功率和短波长光电器件、压力传感器和热辐射传感器、高频声表面波器件以及电子器件的绝缘层和钝化层的制备和研究。