发明公开
CN1207587A 半导体装置及其制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 半导体装置及其制造方法
- 专利标题（英）： Semiconductor device and mfg method thereof
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申请号： CN98103420.9申请日： 1998-07-24
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公开(公告)号： CN1207587A公开(公告)日： 1999-02-10
- 发明人: 中尾圭策 , 松田明浩 , 井筒康文 , 伊东丰二 , 三河巧 , 那须彻 , 长野能久 , 田中圭介 , 久都内知惠
- 申请人： 松下电子工业株式会社
- 申请人地址： 日本国大阪府
- 专利权人： 松下电子工业株式会社
- 当前专利权人： 松下电子工业株式会社
- 当前专利权人地址： 日本国大阪府
- 代理机构： 中科专利代理有限责任公司
- 代理商 黄永奎
- 优先权： 198118/97 1997.07.24 JP; 198119/97 1997.07.24 JP
- 主分类号： H01L27/04
- IPC分类号： H01L27/04 ; H01L21/768 ; H01L21/283 ; H01L21/31 ; H01L21/3205
摘要：
一种半导体装置及其制造方法是在半导体基片上形成由下部电极电容绝缘膜及上部电极组成的电容元件。在层间绝缘膜形成下部电极用接触窗及上部电极用接触窗。在上部电极接触窗的底面和壁面以及层间绝缘膜上的上部电极用的接触窗的周边缘部,形成由氮化钛组成的防止扩散用的导电膜。在含有下部电极用接触窗及上部接触窗的内部的层间绝缘膜上,形成由钛膜、第一氮化钛膜、铝膜及第二氮化钛膜组成的金属布线。
公开/授权文献
- CN1173403C 半导体装置及其制造方法 公开/授权日：2004-10-27
IPC分类:
