公开(公告)号：CN1305230A

公开(公告)日：2001-07-25

申请号：CN00131777.6

申请日：2000-10-20

申请人： 松下电子工业株式会社

发明人： 嶋田恭博 ,  林慎一郎 ,  内山洁 ,  田中圭介

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/88

CPC分类号： H01L29/6684 ,  H01L21/28291 ,  H01L29/772 ,  H01L29/78391

摘要： 提供一种隧道晶体管作为用于具有非易失性存储器的半导体集成电路的小型化的有效装置。一个绝缘层淀积在一个硅基片上。一个源极和一个漏极淀积在该绝缘层上,一个提供隧道阻挡层的厚度为几个纳米的绝缘体插入源极和漏极之间。显示自发极化的一个铁电层直接淀积在源极的与绝缘体相邻的一个区域之上。采用这种结构,当铁电层在一个预定的方向极化时,至少源极的与绝缘体相邻的区域的一部分形成一个损耗区,据此有可能根据铁电层是否被极化而改变以隧道方式通过绝缘体的电流量。

公开(公告)号：CN1257311A

公开(公告)日：2000-06-21

申请号：CN99122843.X

申请日：1999-11-30

申请人： 松下电子工业株式会社

发明人： 长野能久 ,  田中圭介 ,  那须徹

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L21/8239

CPC分类号： H01L27/11502 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/40

摘要： 本发明揭示一种半导体存储器及其制造方法,包括覆盖集成有源极区域、漏极区域和栅极组成的晶体管的半导体基板的整个面的第1保护绝缘膜(3),由形成在(3)上的下电极(4)、绝缘性金属氧化物构成的电容膜(5)和上电极(6)组成的数据存储用电容元件,全面覆盖(3)和电容元件的第2保护绝缘膜(7),设置在(7)上形成的连通(6)和(4)的接触孔(8、9)的表面和(6)和(4)的露出面的整个面上的氢阻挡层(10、11),晶体管的接触孔(12)和布线层(13)。

公开(公告)号：CN1257310A

公开(公告)日：2000-06-21

申请号：CN99127744.9

申请日：1999-12-03

申请人： 松下电子工业株式会社

发明人： 长野能久 ,  田中圭介 ,  那须彻

IPC分类号： H01L27/10 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L27/11502 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/40

摘要： 一种半导体存储器件包括:一个含晶体管的半导体衬底;第一保护性绝缘薄膜;至少一个数据存储电容器元件;第二保护性绝缘薄膜;一个氢阻挡层;和一个互连层,用于电连接晶体管和电容器元件,其中,电容器元件包括:一个下电极,它形成在第一保护性绝缘薄膜上;一层电容器薄膜,它形成在下电极上;一个上电极,它形成在电容器薄膜上,电容器薄膜包括一种绝缘金属氧化物,第二保护性绝缘薄膜具有到达上电极的第一接触孔和到达下电极的第二接触孔,氢阻挡层设置在第一和第二接触孔中,以不暴露上电极和下电极。

公开(公告)号：CN1237792A

公开(公告)日：1999-12-08

申请号：CN99107551.X

申请日：1999-05-25

申请人： 松下电子工业株式会社

发明人： 田中圭介 ,  长野能久 ,  伊东丰二 ,  三河巧

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/82 ,  H01L21/302 ,  G03F7/42

CPC分类号： H01L28/55 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76816

摘要： 一种电容元件及其制造方法是在半导体基板10上依次形成由白金膜构成的下部电极11、由强电介质膜或高电介质膜构成的电容绝缘膜12以及由白金膜构成的上部电极13之后，在上部电极13上整个面堆积保护绝缘膜14。对保护绝缘膜14，利用在其上形成的电阻掩膜15进行干蚀刻，在保护绝缘膜14上形成为第1导电孔16A和第2导电孔16B。然后，利用有机溶剂构成的掩膜剥离剂除去电阻掩膜15。该方法能防止电容元件电特性的劣化。

公开(公告)号：CN1207587A

公开(公告)日：1999-02-10

申请号：CN98103420.9

申请日：1998-07-24

申请人： 松下电子工业株式会社

发明人： 中尾圭策 ,  松田明浩 ,  井筒康文 ,  伊东丰二 ,  三河巧 ,  那须彻 ,  长野能久 ,  田中圭介 ,  久都内知惠

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/768 ,  H01L21/283 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L28/55

摘要： 一种半导体装置及其制造方法是在半导体基片上形成由下部电极电容绝缘膜及上部电极组成的电容元件。在层间绝缘膜形成下部电极用接触窗及上部电极用接触窗。在上部电极接触窗的底面和壁面以及层间绝缘膜上的上部电极用的接触窗的周边缘部,形成由氮化钛组成的防止扩散用的导电膜。在含有下部电极用接触窗及上部接触窗的内部的层间绝缘膜上,形成由钛膜、第一氮化钛膜、铝膜及第二氮化钛膜组成的金属布线。