Invention Grant
- Patent Title: 带有温度补偿电路的半导体器件
- Patent Title (English): Semiconductor device with temp compensating circuit
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Application No.: CN02105970.5Application Date: 2002-04-12
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Publication No.: CN1216458CPublication Date: 2005-08-24
- Inventor: 難波広美 , 美濃部賢一
- Applicant: 富士通株式会社
- Applicant Address: 日本神奈川
- Assignee: 富士通株式会社
- Current Assignee: 株式会社索思未来
- Current Assignee Address: 日本神奈川
- Agency: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- Agent 王永刚
- Priority: 311594/2001 2001.10.09 JP
- Main IPC: H03F1/30
- IPC: H03F1/30

Abstract:
一种带有温度补偿功能而不需要额外的安装空间的半导体器件与一种精确检测温度变化而不需要额外的安装空间的温度变化检测器件。一个传感器单元由具有某个温度系数的第一半导体元件(第一型电阻器)与具有一个不同的温度系数的第二半导体元件(第二型电阻器)组成。它们位于一个需要温度补偿的处理电路的附近。通过一个观测构成传感器单元的第一与第二半导体元件的某个特性(例如电阻)的温度变化检测器来检测处理电路的温度变化。一个温度校正器根据由温度变化检测器提供的检测结果校正处理电路的功能。
Public/Granted literature
- CN1411138A 带有温度补偿电路的半导体器件 Public/Granted day:2003-04-16
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