发明授权
CN1227395C 硅片及硅单晶的制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 硅片及硅单晶的制造方法
- 专利标题（英）： Silicon wafer and method for producing silicon wafer crystal
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申请号： CN01800727.9申请日： 2001-03-27
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公开(公告)号： CN1227395C公开(公告)日： 2005-11-16
- 发明人: 星亮二 , 布施川泉 , 太田友彦 , 前田茂丸
- 申请人： 信越半导体株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 信越半导体株式会社
- 当前专利权人： 信越半导体株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 黄剑锋
- 优先权： 92337/00 2000.03.29 JP
- 国际申请： PCT/JP2001/002451 2001.03.27
- 国际公布： WO2001/073169 JA 2001.10.04
- 进入国家日期： 2001-11-29
- 主分类号： C30B29/06
- IPC分类号： C30B29/06
摘要：
本发明提供一种硅片及硅单晶的制造方法，对使用CZ法在V-多区域成为优势的条件下所培养的硅单晶棒进行切割得到镜面硅片，用粒子计数器计数粒子时，0.1μm尺寸以上的计数数目为1个/cm2以下。由此，提供一种使COP等缺陷的密度与尺寸更加减低，提高装置特性优良的高品质硅片的生产性，并减低成本的制造技术。
公开/授权文献
- CN1365403A 硅片及硅单晶的制造方法 公开/授权日：2002-08-21