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公开(公告)号：CN114631171B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202080075496.2
申请日：2020-09-14
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/66
Abstract: 本发明涉及一种评价方法，包含以下工序：获得镜面研磨晶圆的整面的厚度方向的形状测量数据；每隔一定的旋转角度在一定间距的点上对晶圆的直径方向的形状测量数据进行一阶或二阶微分而获得微分分布，比较获得的微分分布，确定切片切断方向；每隔与所确定的切片切断方向即y方向正交的x方向的一定的间隔，以一定的间距对y方向的形状测量数据进行一阶或二阶微分，获得x‑y网格数据；在y方向上，根据x‑y网格数据，求出包含晶圆的中心的中间部区域中的最大微分值、及与中间部区域相比更靠外侧的上端侧区域及下端侧区域的最大微分值；以及根据各最大微分值，判断有无在器件制造工序中产生缺陷的可能性。由此，提供一种能够有效地评价因切片工序引起的起伏形状的方法。
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公开(公告)号：CN115244229B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202180020036.4
申请日：2021-02-22
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种单晶提拉装置，具备：提拉炉，其具有中心轴；以及磁场产生装置，其设置于该提拉炉的周围，且具有超导线圈，通过对熔融的半导体原料施加水平磁场，从而抑制在坩埚内的对流，超导线圈是鞍型形状，设有2组对置配置的鞍型形状的超导线圈的对，2组超导线圈的对中的2根所述线圈轴包含在相同的水平面内，在水平面内，在将提拉炉的中心轴的磁力线方向设为X轴时，2根线圈轴间的夹着X轴的中心角度α为100度以上、120度以下。由此，提供能够通过提高磁场产生效率来减小线圈高度，而能够将磁场中心提高至半导体原料的熔融液面附近，从而能够获得氧浓度比以往更低的单晶的单晶提拉装置及单晶提拉方法。
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公开(公告)号：CN114174569B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202080046408.6
申请日：2020-06-30
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B31/06 , C30B29/06 , H01L21/265 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供碳掺杂单晶硅晶圆的制造方法，其具有以下工序：准备未进行碳掺杂的单晶硅晶圆的工序；在包含含碳原子化合物气体的氛围下，对所述单晶硅晶圆进行第一RTA处理的工序；以高于所述第一RTA处理的温度，进行接着所述第一RTA处理的第二RTA处理的工序；在进行所述第二RTA处理后，冷却所述单晶硅晶圆的工序；及在进行所述冷却后，进行第三RTA处理的工序，通过这些工序，将所述单晶硅晶圆改质成从表面侧起依次具有3C‑SiC单晶层、碳析出层、间隙碳与硅的扩散层、及空位与碳的扩散层。由此，提供可通过将单晶硅晶圆的表层的碳浓度设定为高浓度、并使表面的碳浓度分布均匀而提高晶圆强度的碳掺杂单晶硅晶圆及其制造方法。
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公开(公告)号：CN119365636A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202380046789.1
申请日：2023-05-08
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/04 , C23C16/27 , C23C16/511 , C30B25/18 , H01L21/205
Abstract: 本发明是一种金刚石层的生长方法，是根据微波等离子体CVD法的金刚石层的生长方法，其特征在于，该方法具有以下工序：将基板（2）配置于微波等离子体CVD装置（10）的反应容器（1）内；将原料气体（反应气体）（6）导入反应容器（1）内；以及将微波等离子体照射至基板（2）的表面，而使金刚石层在基板（2）的表面上生长，在使所述金刚石层生长的工序中，使基板（2）在与基板（2）的表面平行的方向上移动，以及/或者，使所述微波等离子体的照射位置在与基板（2）的表面平行的方向上移动。由此，提供大直径金刚石基板。
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公开(公告)号：CN119278499A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202380046200.8
申请日：2023-05-24
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 铃木温
IPC: H01L21/205 , C30B25/20 , C30B29/06 , H01L21/20 , H01L21/322 , H01L21/324
Abstract: 本发明是一种半导体晶圆的制造方法，其具有以下工序：工序(1)，在硅基板上，以第一温度形成掺杂有碳的硅膜；工序(2)，在所述掺杂有碳的硅膜上，以所述第一温度形成未掺杂碳的硅膜，由此得到层叠晶圆；及工序(3)，以比所述第一温度高的第二温度对所述层叠晶圆进行退火，或者在所述层叠晶圆上以所述第二温度进一步进行成膜，由此得到半导体晶圆。由此，提供一种用于制造包含含有碳的硅层的半导体晶圆的方法，所述半导体晶圆在晶圆表面未析出SiC，且其他的缺陷也得以抑制。
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公开(公告)号：CN119256125A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202380046010.6
申请日：2023-05-26
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 三原佳祐
Abstract: 本发明是一种单晶硅的制造方法，其基于使用了会切磁场的CZ法，所述会切磁场由提拉炉所具备的上侧线圈及下侧线圈形成，该单晶硅的制造方法的特征在于，在直体工序中，将单晶硅的转速设为7rpm以上12rpm以下，将石英坩埚的转速设为1.0rpm以下，将所述会切磁场的磁场极小面的位置设在从原料熔液表面向下方10mm～从原料熔液表面向上方5mm的范围内，将与磁场极小面相同高度的面和石英坩埚内壁的交点处的所述会切磁场的磁场强度设为800～1200G，从而提拉单晶硅。由此，提供一种高效地制造与现有技术相比氧浓度更低，且氧浓度的面内分布良好的单晶硅的方法。
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公开(公告)号：CN113994032B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202080044129.6
申请日：2020-04-30
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种电子器件用基板，其是在单晶硅的接合基板上形成了氮化物半导体膜的基板，其特征在于，所述接合基板是接合了多个单晶硅基板而成的基板，厚度大于2000μm，所述多个单晶硅基板是通过CZ法制造的基板，电阻率为0.1Ωcm以下。由此，提供一种在将氮化物半导体膜形成在硅基板上的电子器件用基板中抑制了翘曲并且能够用于高耐压产品的电子器件用基板及其制造方法。
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公开(公告)号：CN112176414B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202010617597.X
申请日：2020-06-30
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B33/02 , C30B31/06 , C30B29/06 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种碳掺杂单晶硅晶圆的制造方法，该方法具有以下工序：准备未进行碳掺杂的单晶硅晶圆的工序；在包含含碳原子化合物气体的氛围下，对所述单晶硅晶圆进行第一RTA处理的工序；及以高于所述第一RTA处理的温度，进行接着所述第一RTA处理的第二RTA处理的工序，通过所述第一及第二RTA处理，对所述单晶硅晶圆注入空位并同时掺杂碳，将由所述单晶硅的表面至深0.1μm的范围内的碳浓度设为1×1017atoms/cm3以上。由此，提供一种通过使单晶硅晶圆的表层的碳浓度为高浓度，且使表面的碳浓度分布均匀，从而能够提高晶圆强度的碳掺杂单晶硅晶圆及其制造方法。
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公开(公告)号：CN112740368B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN201980060791.8
申请日：2019-09-26
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种晶圆收纳容器的清洗方法，该晶圆收纳容器具有收纳多个晶圆的容器主体、以及经由衬垫将该容器主体的开口部密闭的盖体，该方法具有将所述容器主体中的、在所述密闭时与所述衬垫接触的部分局部地清洗的步骤。由此，提供一种晶圆收纳容器的清洗方法及晶圆收纳容器的清洗装置，其能够抑制源自衬垫的微尘(微粒)附着于收纳在晶圆收纳容器的容器主体内的晶圆表面。
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