-
公开(公告)号：CN110541191B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201910458568.0
申请日：2019-05-29
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 技术问题：提供一种单晶硅的制造方法，其在通过氮掺杂来促进析出的低/无缺陷结晶单晶硅基板以及外延硅晶片中，即使在顶端的低温/短时间的器件工艺流程中也能够形成充分的BMD，并能够以较高的成品率制造具有较高的吸杂能力的晶片。解决方案：一种单晶硅的制造方法，其特征在于，利用切克劳斯基法通过在结晶整面为N‑区域的条件下进行提拉从而使单晶硅生长，以2×1013atoms/cm3以上且3.2×1014atoms/cm3以下的氮浓度掺杂氮，使单晶硅的提拉轴向的结晶中心部的温度梯度Gc与结晶周边部的温度梯度Ge的比为Ge/Gc＞1，与提拉单晶硅时的偏析所导致的氮浓度的增加相应地逐渐地增大Ge/Gc。
-
公开(公告)号：CN106795647A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580046406.6
申请日：2015-08-14
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明为一种电阻率控制方法，该方法在利用CZ法培育单晶硅时，通过掺杂物来控制所培育的单晶硅的电阻率，其特征在于，具备：初始掺杂工序，初始掺杂主掺杂物以使所述单晶硅具有规定的导电型；追加掺杂工序，培育所述单晶硅的同时，根据由(结晶化后的重量)/(初始硅原料的重量)所表示的固化率，连续性或间断性地追加掺杂具有与所述主掺杂物的导电型相反的导电型的副掺杂物；在所述追加掺杂工序中，当所述固化率为规定值α以上时，追加掺杂所述副掺杂物，在所述固化率达到所述规定值α之前不掺杂所述副掺杂物。由此，提供一种电阻率控制方法，即使在单晶硅培育中发生错位，也能够抑制收率的降低，并且能够精确地控制单晶硅的电阻率。
-
公开(公告)号：CN1227395C
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN01800727.9
申请日：2001-03-27
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/06
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/203 , C30B15/206
Abstract: 本发明提供一种硅片及硅单晶的制造方法，对使用CZ法在V-多区域成为优势的条件下所培养的硅单晶棒进行切割得到镜面硅片，用粒子计数器计数粒子时，0.1μm尺寸以上的计数数目为1个/cm2以下。由此，提供一种使COP等缺陷的密度与尺寸更加减低，提高装置特性优良的高品质硅片的生产性，并减低成本的制造技术。
-
公开(公告)号：CN106574395B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201580044303.6
申请日：2015-06-19
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明为用于通过切克劳斯基法生长单晶硅的单晶生长装置，其特征在于，该单晶生长装置具备：主腔室，其配置容纳原料熔液的石英坩埚和对该石英坩埚进行加热和保温的加热器；以及提拉腔室，其与该主腔室的上部连接，提拉并收纳生长的单晶硅，所述主腔室具备硅细棒插入器，所述硅细棒插入器能够将含有掺杂剂的多个硅细棒分别独立地插入所述原料熔液而使其熔融。由此，提供能够生长高电阻率的单晶硅的单晶生长装置及使用了该装置的单晶生长方法。
-
公开(公告)号：CN105917449B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201580004474.6
申请日：2015-01-08
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/324 , C30B29/06 , C30B33/02
Abstract: 本发明是一种单晶硅晶圆的热处理方法，其是在氧化性气氛下对单晶硅晶圆进行热处理的方法，基于由进行所述热处理时的热处理温度、进行所述热处理前的所述单晶硅晶圆中的氧浓度、以及切出所述单晶硅晶圆的单晶硅的培育条件这三者的相关关系求得的条件来进行热处理。由此，可提供一种单晶硅晶圆的热处理方法，其通过氧化性气氛下的热处理，能够以低成本、高效且切实地消除单晶硅晶圆的Void缺陷及微小的氧析出核。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115103934A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202080096689.6
申请日：2020-12-01
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明提供一种硅单晶的制造方法，其为在熔融开始前的原料中导入氮化硅粉末并通过切克劳斯基法提拉掺杂有氮的硅单晶的硅单晶的制造方法，其特征在于，基于所述氮化硅粉末中所包含的碳杂质量，以使硅单晶中的碳浓度在容许值以下的方式限制能够使用的氮化硅粉末的上限量，从而掺杂氮。由此，能够在达成低碳浓度规格的同时，以低成本实现目标的氮掺杂量。
-
公开(公告)号：CN112639176A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201980056306.X
申请日：2019-06-10
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明涉及一种单晶培育方法，其为基于直拉法(CZ法)或磁控拉晶法(MCZ法)的单晶培育方法，其包括：将装填在坩埚中的硅原料熔融形成熔融液的第一工序；使所述熔融液部分凝固形成凝固层的第二工序；在所述凝固层与所述熔融液共存的状态下，去除所述熔融液的至少一部分的第三工序；将所述凝固层熔融形成熔融液的第四工序；及由该熔融液培育单晶硅的第五工序。由此能够提供用一台CZ拉晶机进行硅原料的高纯度化和单晶培育、从而培育降低了杂质浓度的单晶的方法。
-
公开(公告)号：CN110541191A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201910458568.0
申请日：2019-05-29
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 技术问题：提供一种单晶硅的制造方法，其在通过氮掺杂来促进析出的低/无缺陷结晶单晶硅基板以及外延硅晶片中，即使在顶端的低温/短时间的器件工艺流程中也能够形成充分的BMD，并能够以较高的成品率制造具有较高的吸杂能力的晶片。解决方案：一种单晶硅的制造方法，其特征在于，利用切克劳斯基法通过在结晶整面为N-区域的条件下进行提拉从而使单晶硅生长，以2×1013atoms/cm3以上且3.2×1014atoms/cm3以下的氮浓度掺杂氮，使单晶硅的提拉轴向的结晶中心部的温度梯度Gc与结晶周边部的温度梯度Ge的比为Ge/Gc＞1，与提拉单晶硅时的偏析所导致的氮浓度的增加相应地逐渐地增大Ge/Gc。
-
公开(公告)号：CN108823636A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810841153.7
申请日：2013-08-26
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: C30B15/14 , C30B15/12 , C30B29/06 , Y10T117/1052
Abstract: 本发明涉及一种单晶硅生长装置，其是在加热用的石墨加热器的内侧配置石墨坩埚，在其内侧配置石英坩埚，并从石英坩埚内装满的原料熔融液中使结晶生长，基于切克劳斯基单晶生长法的单晶硅生长装置，在石墨加热器的外侧具有加热器外侧绝热部件，在石墨坩埚的下部具有坩埚下部绝热部件，在石墨坩埚及石英坩埚的直体部上方具有坩埚上部绝热部件，具有位于石墨坩埚的直体部外侧的坩埚外侧绝热部件，在石墨坩埚及石英坩埚的直体部内侧具有坩埚内侧绝热部件，在原料熔融液液面的上方具有隔热部件，在坩埚上部绝热部件、坩埚外侧绝热部件和坩埚内侧绝热部件的内侧所形成的空间内，石墨坩埚以及石英坩埚可升降。由此，提供一种能够维持原料熔融液液面的保温性，抑制因凝固等而导致的有错位化的单晶硅生长装置以及单晶硅生长方法。
-
公开(公告)号：CN104619893A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201380047665.1
申请日：2013-08-26
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: C30B15/14 , C30B15/12 , C30B29/06 , Y10T117/1052 , C30B15/00
Abstract: 本发明涉及一种单晶硅生长装置，其是在加热用的石墨加热器的内侧配置石墨坩埚，在其内侧配置石英坩埚，并从石英坩埚内装满的原料熔融液中使结晶生长，基于切克劳斯基单晶生长法的单晶硅生长装置，在石墨加热器的外侧具有加热器外侧绝热部件，在石墨坩埚的下部具有坩埚下部绝热部件，在石墨坩埚及石英坩埚的直体部上方具有坩埚上部绝热部件，具有位于石墨坩埚的直体部外侧的坩埚外侧绝热部件，在石墨坩埚及石英坩埚的直体部内侧具有坩埚内侧绝热部件，在原料熔融液液面的上方具有隔热部件，在坩埚上部绝热部件、坩埚外侧绝热部件和坩埚内侧绝热部件的内侧所形成的空间内，石墨坩埚以及石英坩埚可升降。由此，提供一种能够维持原料熔融液液面的保温性，抑制因凝固等而导致的有错位化的单晶硅生长装置以及单晶硅生长方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
26
records
(took 0.022 seconds)
