发明授权
- 专利标题: 用于深紫外线的光刻胶组合物及其方法
- 专利标题(英): Photoresist composition for deep UV and process thereof
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申请号: CN01812974.9申请日: 2001-07-11
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公开(公告)号: CN1230715C公开(公告)日: 2005-12-07
- 发明人: M·D·拉曼 , M·帕德马纳本 , R·R·戴米尔
- 申请人: AZ电子材料日本株式会社
- 申请人地址: 日本东京
- 专利权人: AZ电子材料日本株式会社
- 当前专利权人: 日本东京
- 当前专利权人地址: 日本东京
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 陈季壮
- 优先权: 09/619,336 2000.07.19 US
- 国际申请: PCT/EP2001/008026 2001.07.11
- 国际公布: WO2002/006901 EN 2002.01.24
- 进入国家日期: 2003-01-17
- 主分类号: G03F7/039
- IPC分类号: G03F7/039
摘要:
本发明涉及一种化学放大体系,它对300nm和100nm之间的波长敏感,并包含a)一种不溶于碱性水溶液且包含至少一个酸不稳定基团的聚合物,b)一种能够在辐射时生产酸的化合物。本发明包含一种由脂环族烃烯烃,具有侧环状部分的丙烯酸酯,和环状酸酐制成的聚合物。本发明还涉及一种用于成像这种光刻胶的方法。
公开/授权文献
- CN1443315A 用于深紫外线的光刻胶组合物及其方法 公开/授权日:2003-09-17
IPC分类: