发明授权
CN1243847C 等离子CVD装置
失效 - 权利终止
- 专利标题： 等离子CVD装置
- 专利标题（英）： Plasma CVD apparatus
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申请号： CN02811894.4申请日： 2002-06-05
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公开(公告)号： CN1243847C公开(公告)日： 2006-03-01
- 发明人: 玉垣浩 , 冲本忠雄 , 丰秀喜
- 申请人： 株式会社神户制钢所
- 申请人地址： 日本兵库县神户市
- 专利权人： 株式会社神户制钢所
- 当前专利权人： 株式会社神户制钢所
- 当前专利权人地址： 日本兵库县神户市
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 温大鹏; 杨松龄
- 优先权： 180686/2001 2001.06.14 JP
- 国际申请： PCT/JP2002/005566 2002.06.05
- 国际公布： WO2002/103079 JA 2002.12.27
- 进入国家日期： 2003-12-12
- 主分类号： C23C16/511
- IPC分类号： C23C16/511 ; B01J19/08 ; C03B37/018 ; H05H1/46
摘要：
是从设置在环状波导管(5)的内周壁的天线(20)向配置在环状波导管(5)的内侧的反应室(2)内提供微波功率，并在前述反应室(2)内部产生等离子，从而利用气相生长合成法成膜的等离子CVD装置，在该装置上，在前述环状波导管(5)与反应室(2)之间配置冷却装置(27)，是将前述环状波导管(5)的温度保持在低温的构成。
公开/授权文献
- CN1516750A 等离子CVD装置 公开/授权日：2004-07-28
IPC分类:
