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公开(公告)号：CN103947301A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201280057411.3
申请日：2012-11-20
Applicant: 株式会社神户制钢所
Inventor： 玉垣浩
IPC: H05H1/46 , C23C14/34 , C23C16/50 , F25D7/00 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32532 , C23C14/3407 , C23C16/50 , H01J37/32834 , H01J37/3402 , H01J37/3497
Abstract: 提供一种能够均匀且有效地冷却的等离子产生源及具备它的真空等离子处理装置和冷却方法。真空等离子处理装置具备内部被真空排气的真空腔室、和设在上述真空腔室内的等离子产生源。等离子产生源具有：等离子产生电极，用来在上述真空腔室内产生等离子；和减压空间形成部件，在上述等离子产生电极的背面侧形成能够收容液体的冷却介质且将其减压的减压空间；用上述冷却介质通过上述减压蒸发时的气化热将上述等离子产生电极冷却。
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公开(公告)号：CN103649370A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280033408.8
申请日：2012-07-05
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C16/458 , C23C16/509 , C23C16/515
CPC classification number: C23C14/3464 , C23C14/32 , C23C14/505 , C23C16/4588 , C23C16/509 , H01J37/32036 , H01J37/32706 , H01J37/32715 , H01L21/6719 , H01L21/68764 , H01L21/68771
Abstract: 本发明的真空成膜装置是在基材形成皮膜的真空成膜装置，具备：真空腔室；对所述真空腔室内进行真空排气的真空排气单元；以自转的状态保持作为成膜对象的所述基材的多个自转保持部；以及使所述多个自转保持部在与各自转保持部的旋转轴平行的公转轴周围进行公转的公转机构，所述多个自转保持部被分为多个组，以按每个组成为不同的电位的方式对各自转保持部供给电力。例如，各组按时间交替地重复成为负的电极而作为在辉光放电等离子体生成中起到主体性的作用的作用极工作的状态和作为其异性极工作的状态。
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公开(公告)号：CN101688294B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN200880021777.9
申请日：2008-04-30
Applicant: 株式会社神户制钢所
Inventor： 玉垣浩
CPC classification number: C23C14/505 , C23C14/044 , C23C14/34 , H01J37/3405 , H01J37/3455
Abstract: 本发明的目的是提供一种能够容易地形成均匀的膜厚的覆膜、并且批量生产率良好的成膜装置。为此，具备具有多个基材保持部(7)的基材保持器(2)、和成膜用蒸发源(3)。成膜用蒸发源(3)包括圆筒状靶(11)，在圆筒状靶(11)的表面上形成有具有与其中心轴平行的方向的两条直线部和将这些直线部的两端彼此连接的弧状部的形状的腐蚀区域，成膜粒子从该腐蚀区域向圆筒状靶(11)的径向外侧蒸发。基材保持器(2)将各基材(W)沿基材保持部(7)的排列方向移动，以使其凹状成膜面(S)分别位于与腐蚀区域相对向的成膜位置。
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公开(公告)号：CN102597308A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080049046.2
申请日：2010-10-18
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C23C16/545 , C23C16/30 , C23C16/4412
Abstract: 本发明的CVD成膜装置(1)，其中包括：多个成膜室单元(6)，分别具有与等离子体电源连接的成膜辊(2，2)及收纳该成膜辊(2，2)的成膜用单元室(60)，且各成膜辊(2，2)配置成沿水平方向排成一列；以及连接室单元(7)，具有与成膜室单元(6)的成膜用单元室(60)连结的连接用单元室(70)，且该连接室单元介于邻接的成膜室单元(6)之间并连接成膜室单元(6)彼此。基材(W)以缠挂在各成膜室单元(6)的各成膜辊(2，2)的状态被输送，各成膜室单元(6)各自通过等离子体来分解原料气体，该等离子体是通过向成膜辊(2，2)施加电压而在该成膜辊(2，2)附近生成，在成膜辊(2，2)上对所述基材实施成膜处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102575349A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080045649.5
申请日：2010-10-01
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C23C16/503 , C23C16/4412 , C23C16/50 , C23C16/505 , C23C16/509 , C23C16/54 , C23C16/545 , H01J37/32036 , H01J37/32366 , H01J37/32513 , H01J37/3266 , H01J37/3277 , H05H1/24 , H05H1/46 , H05H2001/4645 , H05H2001/485
Abstract: 本发明的等离子体CVD装置(1)包括：真空室(3)；一对成膜辊(2、2)，配置在真空室(3)内，与交流电源(8)的两极连接并且基材(W)缠挂在该对成膜辊上；气体供给装置(5)，向较连结一对成膜辊(2、2)的旋转中心的线靠一侧的区域的一部分或全部即成膜区域(D)供给包含原料气体的气体；以及磁场发生装置(7)，通过交流电源(8)向各成膜辊(2、2)分别施加交流电源形成将既定区域的原料气体等离子体化的磁场，该磁场发生装置(7)将与一对成膜辊(2、2)中位于成膜区域(D)内的部位的表面邻接的区域的原料气体等离子体化而形成等离子体区域(P)，基材(W)以通过等离子体区域(P)的方式缠挂在一对成膜辊(2、2)上。
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公开(公告)号：CN101611168A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200880004886.X
申请日：2008-01-15
Applicant: 株式会社神户制钢所
Inventor： 玉垣浩
CPC classification number: C23C16/50 , C23C16/545 , H01J37/32018 , H01J37/32577 , H01J37/32669 , H01J37/32752 , H01J37/32761 , H01J37/3277
Abstract: 一种连续成膜装置，具有：一对成膜辊(2)、(3)，以所卷架的基材(S)对置的方式，平行地对置配置；磁场产生构件(12)、(13)，设置在所述各成膜辊(2)、(3)的内部，以使等离子体收敛于与所述成膜辊之间的对置空间(5)相面对的辊表面附近的方式产生磁场；等离子体电源(14)，其一个电极与另一个电极的极性交替地反转；气体供给管(8)，对所述对置空间(5)供给成膜气体；以及真空排气单元，对所述对置空间进行真空排气。所述等离子体电源(14)的一个电极与一个成膜辊(2)连接，另一个电极与另一个成膜辊(3)连接。
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公开(公告)号：CN105189810B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201480027855.1
申请日：2014-03-31
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C23C14/24 , C23C14/3407 , C23C14/35 , C23C14/562 , H01J37/3408 , H01J37/3452
Abstract: 提供一种仅将磁铁单元和靶材替换就能够对应于基材的尺寸变更的成膜装置。本发明的成膜装置（1）是使用与基材（W）的正面对置的蒸发源（2）对被输送的基材（W）的表面进行成膜的装置，蒸发源（2）具有靶材（7）、背板（8）、磁铁单元（9）、阴极体（10）和冷却水流路（12）。冷却水流路（12）是磁铁单元（9）与背板（8）分离而形成的空间，冷却水能够在该空间中流通。作为磁铁单元（9），可以对应于比基材（W）窄幅的窄幅基材而配备短尺寸的尺寸者，作为靶材（7），对应于配备的磁铁单元（9）的宽度而配备短尺寸的尺寸者。
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公开(公告)号：CN103947301B
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201280057411.3
申请日：2012-11-20
Applicant: 株式会社神户制钢所
Inventor： 玉垣浩
IPC: H05H1/46 , C23C14/34 , C23C16/50 , F25D7/00 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32532 , C23C14/3407 , C23C16/50 , H01J37/32834 , H01J37/3402 , H01J37/3497
Abstract: 提供一种能够均匀且有效地冷却的等离子产生源及具备它的真空等离子处理装置和冷却方法。真空等离子处理装置具备内部被真空排气的真空腔室、和设在上述真空腔室内的等离子产生源。等离子产生源具有：等离子产生电极，用来在上述真空腔室内产生等离子；和减压空间形成部件，在上述等离子产生电极的背面侧形成能够收容液体的冷却介质且将其减压的减压空间；用上述冷却介质通过上述减压蒸发时的气化热将上述等离子产生电极冷却。
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公开(公告)号：CN103703163A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201280038128.6
申请日：2012-07-25
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C16/458 , C23C16/509
CPC classification number: C23C16/458 , C23C16/4584 , C23C16/503 , C23C16/509 , F16J9/26 , H01J37/32715 , H01J37/32733 , H01J37/32761 , H01J37/32779
Abstract: 本发明的等离子CVD装置具备：真空腔室；真空排气部，将上述真空腔室内真空排气；气体供给部，向上述真空腔室内供给原料气体；等离子产生电源，使供给到上述真空腔室内的原料气体产生等离子；多个自转保持部，以自转的状态保持上述基材；和多个公转机构，使上述多个自转保持部绕与上述自转保持部的旋转轴轴心平行的公转轴公转；上述多个公转机构分别被分到第1组和第2组的任一个中，所述第1组连接在上述等离子产生电源的一个极上，所述第2组连接在上述等离子产生电源的另一个极上。
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