发明授权
CN1244958C 掩模缺陷检查方法及其应用
失效 - 权利终止
- 专利标题： 掩模缺陷检查方法及其应用
- 专利标题（英）： Mask defect inspection method and use thereof
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申请号： CN03156085.7申请日： 2003-08-29
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公开(公告)号： CN1244958C公开(公告)日： 2006-03-08
- 发明人: 山口真司 , 井上壮一 , 田中聪 , 井上麻里
- 申请人： 株式会社东芝
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 株式会社东芝
- 当前专利权人： 株式会社东芝
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京市中咨律师事务所
- 代理商 陈海红; 段承恩
- 优先权： 260428/2002 2002.09.05 JP; 268659/2002 2002.09.13 JP
- 主分类号： H01L21/66
- IPC分类号： H01L21/66 ; H01L21/00
摘要：
一种掩模缺陷检查方法包括：关于包括掩模图形的光掩模，就所述掩模图形的多个地点，各自准备根据上述地点上的缺陷对晶片的影响度决定的在所述地点的缺陷检测灵敏度；以及按照所述检测灵敏度，检查所述多个地点上的缺陷。
公开/授权文献
- CN1489195A 掩模缺陷检查方法及其应用 公开/授权日：2004-04-14