发明授权
CN1259716C 非易失性存储器的擦除方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 非易失性存储器的擦除方法
- 专利标题（英）： Method for erasing non-volatile memory
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申请号： CN02142753.4申请日： 2002-09-20
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公开(公告)号： CN1259716C公开(公告)日： 2006-06-14
- 发明人: 蔡文哲 , 叶致锴 , 卢道政 , 潘正圣
- 申请人： 旺宏电子股份有限公司
- 申请人地址： 台湾省新竹科学工业园区力行路16号
- 专利权人： 旺宏电子股份有限公司
- 当前专利权人： 旺宏电子股份有限公司
- 当前专利权人地址： 台湾省新竹科学工业园区力行路16号
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 王学强
- 主分类号： H01L21/8247
- IPC分类号： H01L21/8247 ; G11C16/00
摘要：
一种非易失性存储器的擦除方法，其中此非易失性存储器具有一控制栅极、一源极、一漏极、一电荷捕获层与一基底。此方法对控制栅极施加一第一电压，对源极施加一第二电压，对漏极施加一第三电压，以及对基底施加一第四电压，以利用负栅极电压F-N隧穿效应使电子从电荷捕获层拉出至沟道中以进行擦除。
公开/授权文献
- CN1484301A 非挥发性存储器的抹除方法 公开/授权日：2004-03-24
