发明公开
- 专利标题： 制作用于射频的集成电路器件的工艺
- 专利标题（英）： A process for manufacturing IC-components to be used at radio frequencies
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申请号： CN98807121.5申请日： 1998-07-13
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公开(公告)号： CN1263637A公开(公告)日： 2000-08-16
- 发明人: H·诺尔斯特伦 , S·奈格伦 , O·泰尔斯特德特
- 申请人： 艾利森电话股份有限公司
- 申请人地址： 瑞典斯德哥尔摩
- 专利权人： 艾利森电话股份有限公司
- 当前专利权人： 德国慕尼黑
- 当前专利权人地址： 瑞典斯德哥尔摩
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 梁永; 张志醒
- 国际申请： PCT/SE1998/01380 1998.07.13
- 国际公布： WO1999/03151 EN 1999.01.21
- 进入国家日期： 2000-01-11
- 主分类号： H01L21/8222
- IPC分类号： H01L21/8222 ; H01L21/316 ; H01L21/318 ; H01L21/331 ; H01L21/3065 ; H01L29/73 ; H01L29/92 ; H01L21/763
摘要：
NPN双极晶体管的元件表面具有其沿元件表面看被厚场氧化区(18)以常规方式包围的有源区。有源区被优选包括氮化物层(34)的电绝缘表面层部分地覆盖。有源区中的基区通过在电绝缘表面层中用光刻制作的精确限定的开口所限定。对于横向PNP双极晶体管,其发射极和集电极被这种厚场氧化区所包围,发射极和集电极区以相应方式被电绝缘表面层中光刻限定的开口所限定。由于精确限定的开口,这些区域内的基－集电容和射－集电容分别被降低了,导致晶体管的高频特性更好。同时氮化硅层(34)区域在同时制作的电容器中用作介质层。NPN晶体管含有氮化物制作的侧条用于发射极连接和基极连接之间的隔离。在相同的半导体基片上,可提供专门的深且窄的衬底连接端子用于电隔离元件区域。沟槽(22)可用于电隔离元件区域,它们的侧壁有底部的氧化物(23)和其上的氮化物(25)形成的叠层以利于平面化刻蚀和用作扩散阻挡层。
IPC分类:
