发明授权
CN1271702C 可增加穿透电压的高压组件及其与低压组件工艺匹配的制作方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 可增加穿透电压的高压组件及其与低压组件工艺匹配的制作方法
- 专利标题（英）： High voltage assembly capable of increasing penetrating voltage and manufacturing method of low voltage assembly matching with it
-
申请号： CN03109051.6申请日： 2003-04-02
-
公开(公告)号： CN1271702C公开(公告)日： 2006-08-23
- 发明人: 杨晓莹
- 申请人： 世界先进积体电路股份有限公司
- 申请人地址： 台湾省新竹科学工业园区
- 专利权人： 世界先进积体电路股份有限公司
- 当前专利权人： 世界先进积体电路股份有限公司
- 当前专利权人地址： 台湾省新竹科学工业园区
- 代理机构： 北京三友知识产权代理有限公司
- 代理商 马娅佳
- 主分类号： H01L21/70
- IPC分类号： H01L21/70
摘要：
一种可增加穿透电压的高压组件及其与低压组件工艺匹配的制作方法。一半导体硅基底，其表面上定义有一高压组件区域。一栅极结构，形成于该高压组件区域内。一轻掺杂区域，形成于该栅极结构侧边的该半导体硅基底内。一侧壁子，形成于该栅极结构的侧壁上。一重掺杂源/漏极区域，形成于该侧壁子侧边的该轻掺杂区域内，该重掺杂源/漏极区域与该相邻的侧壁子之间维持有一横向间距。
公开/授权文献
- CN1534756A 可增加穿透电压的高压组件及其与低压组件制程匹配的制作方法 公开/授权日：2004-10-06
IPC分类:
