发明授权
CN1292479C 半导体器件用电容器、其制造方法及采用它的电子器件
失效 - 权利终止
- 专利标题： 半导体器件用电容器、其制造方法及采用它的电子器件
- 专利标题（英）： Capacitor for semiconductor device, its producing method and electronic device using it
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申请号： CN02147162.2申请日： 2002-10-24
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公开(公告)号： CN1292479C公开(公告)日： 2006-12-27
- 发明人: 李正贤 , 闵约塞 , 曹永真
- 申请人： 三星电子株式会社
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 肖鹂; 陈小雯
- 优先权： 10982/02 2002.02.28 KR
- 主分类号： H01L27/10
- IPC分类号： H01L27/10 ; H01G4/33
摘要：
本发明公开了一种半导体器件用电容器、其制造方法及采用它的电子器件。该电容器包括上部电极和下部电极，每个电极由铂族金属形成；设置在上部电极和下部电极之间的薄介电层；以及设置在下部电极和薄介电层之间的缓冲层，该缓冲层包括第3、4或13族的金属氧化物。
公开/授权文献
- CN1441496A 半导体器件用电容器、其制造方法及采用它的电子器件 公开/授权日：2003-09-10
IPC分类:
