公开(公告)号：CN1292479C

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN02147162.2

申请日：2002-10-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正贤 ,  闵约塞 ,  曹永真

IPC: H01L27/10 ,  H01G4/33

CPC classification number: H01L28/56 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/321 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件用电容器、其制造方法及采用它的电子器件。该电容器包括上部电极和下部电极，每个电极由铂族金属形成；设置在上部电极和下部电极之间的薄介电层；以及设置在下部电极和薄介电层之间的缓冲层，该缓冲层包括第3、4或13族的金属氧化物。

公开(公告)号：CN101009217A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200610153176.6

申请日：2002-10-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正贤 ,  闵约塞 ,  曹永真

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/82 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L28/56 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/321 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65

Abstract: 本发明涉及一种制造电容器的方法。该方法包括：在铂族金属下部电极的表面吸附CO；将下部电极放置在还原气氛中，以产生晶格氧；利用晶格氧，通过利用薄介电层前体实施原子层沉积工艺，形成薄介电层；以及在薄介电层上形成铂族金属上部电极。

公开(公告)号：CN1441496A

公开(公告)日：2003-09-10

申请号：CN02147162.2

申请日：2002-10-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正贤 ,  闵约塞 ,  曹永真

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L28/56 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/321 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件用电容器、其制造方法及采用它的电子器件。该电容器包括上部电极和下部电极，每个电极由铂族金属形成；设置在上部电极和下部电极之间的薄介电层；以及设置在下部电极和薄介电层之间的缓冲层，该缓冲层包括第3、4或13族的金属氧化物。