发明公开
- 专利标题: 在工件上电镀金属的装置和方法
- 专利标题(英): Apparatus and method for electrolytically depositing copper on semiconductor workpiece
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申请号: CN99804128.9申请日: 1999-03-22
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公开(公告)号: CN1293719A公开(公告)日: 2001-05-02
- 发明人: 陈林林
- 申请人: 塞米图尔公司
- 申请人地址: 美国蒙大拿州
- 专利权人: 塞米图尔公司
- 当前专利权人: 应用材料公司
- 当前专利权人地址: 美国蒙大拿州
- 代理机构: 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理商 武玉琴; 朱登河
- 优先权: 09/045,245 1998.03.20 US; 60/085,675 1998.05.15 US
- 国际申请: PCT/US1999/06306 1999.03.22
- 国际公布: WO1999/47731 EN 1999.09.23
- 进入国家日期: 2000-09-18
- 主分类号: C25D3/58
- IPC分类号: C25D3/58 ; C25D3/38 ; C25D7/00 ; C25D5/02 ; B41M5/20 ; H01M4/02 ; H01L21/288 ; H01L21/445 ; C23C28/00 ; C23C28/02
摘要:
本发明使用了一种新的方法来形成工件的铜镀层。按照本发明,使用一碱性电镀液(35)来在种层(30)上电镀铜、直接在一阻挡层上电镀铜、或强化已经用PVD等法沉积在阻挡层上的超薄铜种层。所获得的铜层是优良的共形铜镀层,填充了工件中的沟槽、转接电路和其他微结构。用于强化种层时,所获得的铜种层是优良的共形铜镀层,它允许微结构用均匀性优良的铜镀层使用电化学沉积技术填充。另外,按照所公开的方法电镀的铜层显示出低的薄层电阻,并可在低温下退火。
公开/授权文献
- CN1246504C 在工件上电镀金属的装置和方法 公开/授权日:2006-03-22