本发明涉及一种利用改进的坩埚下降法生长阴阳离子同时双掺杂的高光产额快衰减钨酸铅闪烁晶体的制备方法，属于晶体生长领域。使用本发明提供的工艺技术可克服阴阳离子双掺杂PWO晶体生长过程中原料及掺杂剂挥发的问题，生长出光产额达到BGO晶体的7.3%的阴阳离子双掺杂PWO晶体。本发明采用PbF2和Y2O3或BaF2和Y2O3作为掺杂剂，掺杂量分别为600-1000ppm(at%)和100-300ppm(at%)，使用铂坩埚生长，坩埚密封以控制原料及掺杂剂的挥发，坩埚的形状和大小随所需生长晶体的形状和大小而异。用本发明可以同时生长2根、6根或28根高光产额钨酸铅晶体，适于大批量生产。