本发明公开一种闪速存储器的制造方法，此方法包括：先提供衬底，且此衬底中包括有多个元件隔离结构以定义出有源区，且此有源区的衬底上依序形成有穿隧介电层与掩模层。然后，于衬底上形成牺牲层。之后，对此牺牲层进行光刻工艺，以保留下位于这些元件隔离结构上的牺牲层。继之，在移除掩模层后，于衬底上形成导体层。接着，移除部分的导体层直到暴露出牺牲层的顶部。之后，在移除牺牲层后，于衬底上形成栅极间介电层。然后，在于栅极间介电层上形成控制栅极后，于控制栅极两侧的衬底中形成源极区与漏极区。