发明公开
- 专利标题： 半导体集成电路器件及其制造方法
- 专利标题（英）： Semiconductor integrated circuit device and mfg. method thereof
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申请号： CN01104622.8申请日： 2001-02-16
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公开(公告)号： CN1309425A公开(公告)日： 2001-08-22
- 发明人: 宫木美典 , 铃木博通 , 金田刚
- 申请人： 株式会社日立制作所
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 株式会社日立制作所
- 当前专利权人： 瑞萨电子株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 王永刚
- 优先权： 046724/2000 2000.02.18 JP
- 主分类号： H01L23/50
- IPC分类号： H01L23/50 ; H01L23/28 ; H01L21/50
摘要：
本发明提供一种能有效地防止由于施加到半导体集成电路器件的卡路里增加产生的线断开的措施。构成半导体集成电路器件以使含有Pd层的金属层提供在具有导电性的连接部件连接的部分中,熔点高于Sn－Pb共晶焊料熔点并含有无Pb作为主要组成金属的合金层提供在树脂模塑部分之外。此外,具有导电性的连接部分接合的部分中厚度等于或大于10μm的金属层提供在连接部件中。
公开/授权文献
- CN100380650C 半导体集成电路器件及其制造方法 公开/授权日：2008-04-09
IPC分类:
