生产半导体器件的工艺

Invention Publication

CN1322008A 生产半导体器件的工艺失效 - 权利终止

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Patent Title: 生产半导体器件的工艺
Patent Title (English): Process for producing semiconductor device
Application No.: CN01104687.2

Application Date: 1996-10-17
Publication No.: CN1322008A

Publication Date: 2001-11-14
Inventor: 一濑博文 , 泽山一平 , 长谷部明男 , 村上勉 , 久松雅哉 , 新仓谕 , 上野雪绘
Applicant: 佳能株式会社
Applicant Address: 日本东京
Assignee: 佳能株式会社
Current Assignee: 佳能株式会社
Current Assignee Address: 日本东京
Agency: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
Agent 王永刚
Priority: 293313/1995 1995.10.17 JP; 293314/1995 1995.10.17 JP
The original application number of the division: 961192828
Main IPC: H01L21/3063
IPC: H01L21/3063 ; H01L21/465 ; H01L31/18 ; C25F3/12

Abstract:

刻蚀物体的方法和刻蚀装置,该方法包括:将物体浸入电解液作负电极;设置具有相应图形的相对电极,与物体维持预定间隔;物体和相对电极之间加直流或脉冲电流,将物体上要刻蚀的区域刻蚀成相对应的图形。该刻蚀装置包括:固定基片的基片固定部件;装电解液的电解槽;移动基片固定部件的移动装置;和固定相对电极的相对电极固定部件,使所说相对电极位于固定于基片固定部件上的基片的对面。

Public/Granted literature

CN1235271C 生产半导体器件的工艺 Public/Granted day:2006-01-04

Information query

Chinese Patent Announcement Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306	......化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L21/31；绝缘层的后处理入H01L21/3105）
H01L21/3063	.......电解腐蚀