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发明授权
CN1324691C P型信道氮化硅只读存储器的擦除方法 失效 - 权利终止

P型信道氮化硅只读存储器的擦除方法
摘要：
本发明是有关于一种p型信道氮化硅只读存储器的擦除方法，此擦除方法对一个在电荷陷入层中储存有电荷的p型信道氮化硅只读存储器，在控制栅极施加一个正电压，在漏极施加一个负电压，将源极浮置以及将此p型信道氮化硅只读存储器所在的n井接地。并且使得控制栅极与漏极之间的电压差足以使p型信道氮化硅只读存储器以频带间引发热电子注入法进行擦除。
摘要（英）：

An erasion method for read-only storage of P channel silicon nitride with electric charge stored in electric charge sunk layer loads a positive voltage on control grid electrode and a negative voltage on drain electrode. To place source electrode in floating and to connect n well located with the read-only storage of P channel silicon nitride by earthing, the voltage difference between the control grid electrode and the drain electrode is sufficient to make the read-only storage of p channel silicon nitride use the injection method of hot electron issued between the frequency bands to carry out the erasion.

公开/授权文献
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77 ..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78 ...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82 ....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822 .....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
H01L21/8232 ......场效应工艺
H01L21/8234 .......MIS工艺
H01L21/8239 ........存储器结构
H01L21/8246 .........只读存储器结构（ROM）
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