Invention Publication
CN1355931A 叠层体、叠层体的制备方法及半导体元件
失效 - 权利终止
- Patent Title: 叠层体、叠层体的制备方法及半导体元件
- Patent Title (English): Multilayered body, method for fabricating multilayered body and semiconductor device
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Application No.: CN00808799.7Application Date: 2000-07-06
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Publication No.: CN1355931APublication Date: 2002-06-26
- Inventor: 西川孝司
- Applicant: 松下电器产业株式会社
- Applicant Address: 日本大阪府
- Assignee: 松下电器产业株式会社
- Current Assignee: 松下电器产业株式会社
- Current Assignee Address: 日本大阪府
- Agency: 中科专利商标代理有限责任公司
- Agent 汪惠民
- Priority: 192659/99 1999.07.07 JP
- International Application: PCT/JP2000/04477 2000.07.06
- International Announcement: WO2001/04943 JA 2001.01.18
- Date entered country: 2001-12-11
- Main IPC: H01L21/318
- IPC: H01L21/318 ; H01L29/78 ; H01L29/788 ; H01L29/792 ; H01L21/8247 ; H01L27/10
Abstract:
一种叠层体、叠层体的制备方法及半导体元件。通过酸处理等清洗Si衬底1并加热它而将它表面的附着物除去。其次,将已等离子化的N供向Si衬底1的表面,而利用该游离基N的表面活性剂效果在Si衬底1的表面上形成和Si结晶晶格不匹配的AlN结晶层80。因AlN结晶层80的晶格间距离大致和AlN结晶层本来的晶格常数一样,故AlN结晶层80内不存在由于它和Si衬底1的晶格常数的不同而引起的应变,而这种情况在它和Si衬底1晶格匹配时是存在的。
Public/Granted literature
- CN1155995C 叠层体、叠层体的制备方法及半导体元件 Public/Granted day:2004-06-30
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