公开(公告)号：CN1155995C

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：CN00808799.7

申请日：2000-07-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 西川孝司

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/203 ,  H01L29/78 ,  H01L29/792 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L21/28202 ,  C30B23/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/267 ,  H01L29/513 ,  H01L29/516 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 一种叠层体、叠层体的制备方法及半导体元件。通过酸处理等清洗Si衬底1并加热它而将它表面的附着物除去。其次，将已等离子化的N供向Si衬底1的表面，而利用该游离基N的表面活性剂效果在Si衬底1的表面上形成和Si结晶晶格不匹配的AlN结晶层80。因AlN结晶层80的晶格间距离大致和AlN结晶层本来的晶格常数一样，故AlN结晶层80内不存在由于它和Si衬底1的晶格常数的不同而引起的应变，而这种情况在它和Si衬底1晶格匹配时是存在的。

公开(公告)号：CN1152438C

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN98120475.9

申请日：1998-10-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上山智 ,  古井重雄 ,  宫永良子 ,  西川孝司 ,  斋藤彻 ,  佐佐井洋一

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L33/145 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42

Abstract: 一种发光二极管及其制造方法，该发光二极管包括活性层、P型接触层、肖特基电极和欧姆电极。活性层是在n型半导体基片板上形成的，而接触层是在活性层上形成的，肖特基电极是在接触层上有选择地形成的，与接触层进行肖特基接触。欧姆电极在接触层上的肖特基电极的边缘部分与肖特基电极进行电连接而形成，并透过由活性层发出的光。

公开(公告)号：CN1816968A

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN200480019014.2

申请日：2004-11-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 西川孝司 ,  丰田健治 ,  大塚隆

IPC: H03K3/356 ,  G11C11/22 ,  H03K19/096 ,  H03K19/185 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H03K3/356008 ,  G11C11/22

Abstract: 本发明提供非易失性触发电路的驱动方法，该非易失性触发电路具备：第一时钟反相器(604)、第二时钟反相器(603)及第三开关元件(602)处于开的状态，并且，第一开关元件(605)、第二开关元件(607)及第三时钟反相器(608)处于关的状态，通过输入数据信号(D)，利用铁电体栅极晶体管(601)具有的铁电体的极化，保持输入的数据信号(D)的数据保持步骤；第一时钟反相器(604)、第二时钟反相器(603)及第三开关元件(602)处于关的状态，并且，通过使第一开关元件(605)、第二开关元件(607)及第三时钟反相器(608)处于开的状态地切换，切断数据信号(D)的输入的同时维持铁电体栅极晶体管(601)具有的铁电体的极化状态，输出基于保持的数据信号(D)的输出信号Q(－Q)的数据输出步骤。

公开(公告)号：CN100376080C

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200480019014.2

申请日：2004-11-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 西川孝司 ,  丰田健治 ,  大塚隆

IPC: H03K3/356 ,  G11C11/22 ,  H03K19/096 ,  H03K19/185 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H03K3/356008 ,  G11C11/22

Abstract: 本发明提供非易失性触发电路的驱动方法，该非易失性触发电路具备：第一时钟反相器(604)、第二时钟反相器(603)及第三开关元件(602)处于开的状态，并且，第一开关元件(605)、第二开关元件(607)及第三时钟反相器(608)处于关的状态，通过输入数据信号(D)，利用铁电体栅极晶体管(601)具有的铁电体的极化，保持输入的数据信号(D)的数据保持步骤；第一时钟反相器(604)、第二时钟反相器(603)及第三开关元件(602)处于关的状态，并且，通过使第一开关元件(605)、第二开关元件(607)及第三时钟反相器(608)处于开的状态地切换，切断数据信号(D)的输入的同时维持铁电体栅极晶体管(601)具有的铁电体的极化状态，输出基于保持的数据信号(D)的输出信号Q(-Q)的数据输出步骤。

公开(公告)号：CN1215931A

公开(公告)日：1999-05-05

申请号：CN98120475.9

申请日：1998-10-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上山智 ,  古井重雄 ,  宫永良子 ,  西川孝司 ,  斋藤彻 ,  佐佐井洋一

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L33/145 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42

Abstract: 一种发光二极管装置及其制造方法,该装置包括活性层、P型接触层、肖特基电极和欧姆电极。活性层是在n型半导体基片板上形成的,而接触层是在活性层上形成的,肖特基电极是在接触层上有选择地形成的,与接触层进行肖特基接触。欧姆电极在接触层上的肖特基电极的边缘部分与肖特基电极进行电连接而形成,并透过由活性层发出的光。

公开(公告)号：CN1306599C

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN03807123.1

申请日：2003-03-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 西川孝司 ,  大塚隆

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/105 ,  H01L29/788

CPC classification number: H01L21/28291 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/78391

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，其特征在于：具有半导体基板(11)、在该半导体基板(11)上通过夹持沟道区域(14)而形成的源极区域(12)和漏极区域(13)、在所述沟道区域(14)中通过门绝缘膜(151)而形成的浮栅电极(152)、在浮栅电极(152)上形成的铁电体膜(154)、及在铁电体膜(154)上形成的控制门电极(156)。在浮栅电极(152)和铁电体膜(154)之间、及铁电体膜(154)与控制门电极(156)之间的至少一方形成有中间绝缘膜(153、155)，各中间绝缘膜(153、155)是由含有氮原子的铪氧化物所形成。

公开(公告)号：CN1643679A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN03807123.1

申请日：2003-03-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 西川孝司 ,  大塚隆

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/105 ,  H01L29/788

CPC classification number: H01L21/28291 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/78391

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，其特征在于：具有半导体基板(11)、在该半导体基板(11)上通过夹持沟道区域(14)而形成的源极区域(12)和漏极区域(13)、在所述沟道区域(14)中通过门绝缘膜(151)而形成的浮栅电极(152)、在浮栅电极(152)上形成的铁电体膜(154)、及在铁电体膜(154)上形成的控制门电极(156)。在浮栅电极(152)和铁电体膜(154)之间、及铁电体膜(154)与控制门电极(156)之间的至少一方形成有中间绝缘膜(153、155)，各中间绝缘膜(153、155)是由含有氮原子的铪氧化物所形成。

公开(公告)号：CN1355931A

公开(公告)日：2002-06-26

申请号：CN00808799.7

申请日：2000-07-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 西川孝司

IPC: H01L21/318 ,  H01L29/78 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L21/28202 ,  C30B23/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/267 ,  H01L29/513 ,  H01L29/516 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 一种叠层体、叠层体的制备方法及半导体元件。通过酸处理等清洗Si衬底1并加热它而将它表面的附着物除去。其次,将已等离子化的N供向Si衬底1的表面,而利用该游离基N的表面活性剂效果在Si衬底1的表面上形成和Si结晶晶格不匹配的AlN结晶层80。因AlN结晶层80的晶格间距离大致和AlN结晶层本来的晶格常数一样,故AlN结晶层80内不存在由于它和Si衬底1的晶格常数的不同而引起的应变,而这种情况在它和Si衬底1晶格匹配时是存在的。