发明公开
CN1383570A 电场放射型电子源
失效 - 权利终止
- 专利标题： 电场放射型电子源
- 专利标题（英）： Field emission type electron source
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申请号： CN01801858.0申请日： 2001-10-26
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公开(公告)号： CN1383570A公开(公告)日： 2002-12-04
- 发明人: 菰田卓哉 , 本多由明 , 相泽浩一 , 栎原勉 , 渡部祥文 , 幡井崇 , 马场彻
- 申请人： 松下电工株式会社
- 申请人地址： 日本大阪府
- 专利权人： 松下电工株式会社
- 当前专利权人： 松下电工株式会社
- 当前专利权人地址： 日本大阪府
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 汪惠民
- 优先权： 326274/00 2000.10.26 JP; 326276/00 2000.10.26 JP; 344301/00 2000.11.10 JP; 145527/00 2001.05.15 JP; 145528/00 2001.05.15 JP
- 国际申请： PCT/JP2001/09423 2001.10.26
- 国际公布： WO2002/35572 JA 2002.05.02
- 进入国家日期： 2002-02-28
- 主分类号： H01J1/30
- IPC分类号： H01J1/30
摘要：
一种电场放射型电子源(10),在由玻璃衬底构成的绝缘性衬底(11)的上侧设置有:由导电性层构成的下部电极(8);含有由氧化或氮化的多孔性半导体构成的漂移部(6a)的强电场漂移层(6);由金薄膜构成的表面电极(7)。而且,外加电压使表面电极(7)相对于下部电极(8)成为正极,并使从下部电极(8)注入强电场漂移层(6)的电子在强电场漂移层(6)中漂移,通过表面电极(7)放射到外部。在下部电极(8)和强电场漂移层(6)之间设置有由n层(21)和p层(22)构成的pn结半导体层,据此,就能防止漏泄电流从下部电极(8)流向表面电极(7),从而降低耗电量。
公开/授权文献
- CN1254839C 电场放射型电子源 公开/授权日：2006-05-03