制造光学透镜的工艺
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101175628A

    公开(公告)日:2008-05-07

    申请号:CN200680017004.4

    申请日:2006-05-16

    IPC分类号: B29D11/00 G02B3/02 G02B3/00

    摘要: 将半导体衬底阳极化,使其成形为光学透镜。在阳极化之前,完成衬底并且在其下表面上具有阳极图案,从而将阳极和衬底加固成为整体结构,其中阳极图案被准确地再现在衬底上。阳极化利用了电解液,一旦由于阳极化而形成氧化部分,电解液即蚀刻掉氧化部分,由此以与阳极图案相匹配的图案产生多孔层。阳极图案引起变化电场强度的平面内分布,通过该变化电场强度,多孔层形成与期望的透镜轮廓互补的形状。当完成了阳极化之后,通过从衬底中蚀刻掉多孔层和阳极图案而使半导体衬底成形为透镜。

    电场放射型电子源
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1825519A

    公开(公告)日:2006-08-30

    申请号:CN200610004886.2

    申请日:2001-10-26

    IPC分类号: H01J1/30

    摘要: 一种电场放射型电子源(10),在由玻璃衬底构成的绝缘性衬底(11)的上侧设置有:由导电性层构成的下部电极(8);含有由氧化或氮化的多孔性半导体构成的漂移部(6a)的强电场漂移层(6);由金薄膜构成的表面电极(7)。而且,外加电压使表面电极(7)相对于下部电极(8)成为正极,并使从下部电极(8)注入强电场漂移层(6)的电子在强电场漂移层(6)中漂移,通过表面电极(7)放射到外部。在下部电极(8)和强电场漂移层(6)之间设置有由n层(21)和p层(22)构成的pn结半导体层,据此,就能防止漏泄电流从下部电极(8)流向表面电极(7),从而降低耗电量。

    制造电场放射型电子源的方法和装置

    公开(公告)号:CN1395272A

    公开(公告)日:2003-02-05

    申请号:CN02124448.0

    申请日:2002-06-26

    IPC分类号: H01J9/02

    CPC分类号: B82Y10/00 H01J9/025

    摘要: 一种电场放射型电子源10,具有n型硅基板1、在n型硅基板1的1个表面上形成的漂移层6(强电场漂移层)、在漂移层6上形成的表面电极7。通过外加电压,使表面电极7相对于n型硅基板1为正极,从而由n型硅基板1注入漂移层6中的电子在该漂移层6中漂移,通过表面电极7被释放出。在该电场放射型电子源10的制造过程中,形成漂移层6时,通过阳极氧化形成含有半导体微晶体的多孔质半导体层。然后,在各半导体微晶体表面形成绝缘膜。对半导体层照射主要含有可见光区域波长的光,同时进行阳极氧化。

    压力波发生装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN101273661B

    公开(公告)日:2011-10-05

    申请号:CN200680035880.X

    申请日:2006-10-19

    IPC分类号: H04R23/00 B06B1/02

    摘要: 本发明提供一种压力波发生装置,其具有优良的输出长时间稳定性。该压力波发生装置包括:基板;加热元件层;和热绝缘层,该热绝缘层设置在该基板和该加热元件层之间。在加热元件层通电时产生的温度变化使周围介质(空气)中产生压力波。热绝缘层包括:多孔层;和阻挡层,该阻挡层设置在多孔层和加热元件层之间,用于防止诸如空气中的氧气或水分之类的反应性物质以及杂质扩散到多孔层内。通过形成该阻挡层,能够防止随着时间的流逝由多孔层中的变化引起的压力波发生装置的输出降低。

    在半导体衬底上形成曲线轮廓的工艺

    公开(公告)号:CN100546001C

    公开(公告)日:2009-09-30

    申请号:CN200680016985.0

    申请日:2006-05-16

    IPC分类号: H01L21/00 G02B3/02 G02B3/00

    摘要: 通过阳极化使半导体衬底成形为具有曲面轮廓。在被阳极化之前,衬底在其下表面具有阳极图案,从而使阳极和衬底成为整体的结构,其中该阳极图案被准确地再现在衬底上。阳极化利用了电解液,一旦形成作为阳极化产物的氧化部分,该电解液即蚀刻掉该氧化部分,以此来产生具有与阳极图案相匹配的多孔层。该阳极图案产生在平面内变化的电场强度分布,通过该变化的电场强度分布,所产生的多孔层的形状与想要的表面轮廓互补。当完成了阳极化之后,通过从衬底中蚀刻掉多孔层和阳极图案而在衬底的表面上露出曲面。

    电场放射型电子源
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100545984C

    公开(公告)日:2009-09-30

    申请号:CN200610004887.7

    申请日:2001-10-26

    IPC分类号: H01J1/30

    摘要: 一种电场放射型电子源(10),在由玻璃衬底构成的绝缘性衬底(11)的上侧设置有:由导电性层构成的下部电极(8);含有由氧化或氮化的多孔性半导体构成的漂移部(6a)的强电场漂移层(6);由金薄膜构成的表面电极(7)。而且,外加电压使表面电极(7)相对于下部电极(8)成为正极,并使从下部电极(8)注入强电场漂移层(6)的电子在强电场漂移层(6)中漂移,通过表面电极(7)放射到外部。在下部电极(8)和强电场漂移层(6)之间设置有由n层(21)和p层(22)构成的pn结半导体层,据此,就能防止漏泄电流从下部电极(8)流向表面电极(7),从而降低耗电量。