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公开(公告)号：CN1825519A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610004886.2
申请日：2001-10-26
申请人： 松下电工株式会社
IPC分类号： H01J1/30
摘要： 一种电场放射型电子源(10)，在由玻璃衬底构成的绝缘性衬底(11)的上侧设置有：由导电性层构成的下部电极(8)；含有由氧化或氮化的多孔性半导体构成的漂移部(6a)的强电场漂移层(6)；由金薄膜构成的表面电极(7)。而且，外加电压使表面电极(7)相对于下部电极(8)成为正极，并使从下部电极(8)注入强电场漂移层(6)的电子在强电场漂移层(6)中漂移，通过表面电极(7)放射到外部。在下部电极(8)和强电场漂移层(6)之间设置有由n层(21)和p层(22)构成的pn结半导体层，据此，就能防止漏泄电流从下部电极(8)流向表面电极(7)，从而降低耗电量。
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公开(公告)号：CN1419260A
公开(公告)日：2003-05-21
申请号：CN02148085.0
申请日：2002-10-25
申请人： 松下电工株式会社
IPC分类号： H01J1/304
CPC分类号： G09G3/22 , B82Y10/00 , G09G2310/0254 , G09G2320/043 , H01J1/312
摘要： 一种电子源(10)，具有由下部电极(12)、漂移层(6)、表面电极(7)构成的电子源元件10a。漂移层(6)存在于下部电极(12)和表面电极(7)之间。靠在表面电极(7)和下部电极(12)之间外加使表面电极(7)变为高电位的电压时作用的电场，电子通过漂移层(6)，经表面电极(7)而被发射。在表面电极(7)和下部电极(12)之间外加了顺偏压(正电压)时，加压结束后外加反偏压(负电压)，漂移层(6)内的收集器(9)捕获的电子向漂移层(6)外发射。由此，电子源(10)的寿命变长。
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公开(公告)号：CN1395272A
公开(公告)日：2003-02-05
申请号：CN02124448.0
申请日：2002-06-26
申请人： 松下电工株式会社
IPC分类号： H01J9/02
摘要： 一种电场放射型电子源10，具有n型硅基板1、在n型硅基板1的1个表面上形成的漂移层6(强电场漂移层)、在漂移层6上形成的表面电极7。通过外加电压，使表面电极7相对于n型硅基板1为正极，从而由n型硅基板1注入漂移层6中的电子在该漂移层6中漂移，通过表面电极7被释放出。在该电场放射型电子源10的制造过程中，形成漂移层6时，通过阳极氧化形成含有半导体微晶体的多孔质半导体层。然后，在各半导体微晶体表面形成绝缘膜。对半导体层照射主要含有可见光区域波长的光，同时进行阳极氧化。
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公开(公告)号：CN100545984C
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200610004887.7
申请日：2001-10-26
申请人： 松下电工株式会社
IPC分类号： H01J1/30
摘要： 一种电场放射型电子源(10)，在由玻璃衬底构成的绝缘性衬底(11)的上侧设置有：由导电性层构成的下部电极(8)；含有由氧化或氮化的多孔性半导体构成的漂移部(6a)的强电场漂移层(6)；由金薄膜构成的表面电极(7)。而且，外加电压使表面电极(7)相对于下部电极(8)成为正极，并使从下部电极(8)注入强电场漂移层(6)的电子在强电场漂移层(6)中漂移，通过表面电极(7)放射到外部。在下部电极(8)和强电场漂移层(6)之间设置有由n层(21)和p层(22)构成的pn结半导体层，据此，就能防止漏泄电流从下部电极(8)流向表面电极(7)，从而降低耗电量。
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公开(公告)号：CN1271692C
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN03800758.4
申请日：2003-05-14
申请人： 松下电工株式会社
IPC分类号： H01L21/316 , C25D11/32 , H01J1/312 , H01J9/02
CPC分类号： H01L21/02238 , C25D11/32 , C25D21/12 , H01J9/025 , H01L21/02258 , H01L21/02299 , H01L21/0231 , H01L21/31675 , H01L21/31687
摘要： 公开了用于半导体层的电化学氧化的方法。在用于作为电子器件之一的电子源10(场致发射类型电子源)的生产过程中的电化学氧化处理过程中，基于来自电阻检测部分35的检测电压，控制部分37预先测定由于电解溶液B的电阻导致的电压增量。然后，控制部分37控制电源以供应恒电流，以便引发对于在物体30上形成的半导体层的氧化处理。控制部分37通过从中减去电压增量来校正来自电压检测部分36的检测电压。当校正电压达到给定的上限电压值时，可以操作控制部分37来中断电源32的输出和终止氧化处理。本发明使得可以生产在其特性方面具有减小的变化的电子器件。
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公开(公告)号：CN1217371C
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN00128588.2
申请日：2000-10-18
申请人： 松下电工株式会社
摘要： 在由玻璃基板组成的绝缘性基板11的一个表面上形成导电性层8。在导电性层8上形成由氧化的多孔质多晶硅层组成的强电场漂移层6。在强电场漂移层6上形成表面电极7。导电性层8由形成在绝缘性基板11上的由铜组成的下侧的导电性膜8a和形成在该导电性膜8a上的由铝组成的上侧的导电性膜8b所构成。强电场漂移层6这样形成：在导电性层8上形成多晶硅层，把该多晶硅层进行多孔质化，然后，进行氧化。上侧的导电性膜8b具有易于与硅发生反应的性质，因此，在多晶硅层形成时能够抑制非晶层的形成。
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公开(公告)号：CN1216394C
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN02142595.7
申请日：2002-09-24
申请人： 松下电工株式会社
CPC分类号： H01J1/312 , B82Y10/00 , H01J9/022 , H01J2201/30446 , H01J2201/3125
摘要： 一种场致发射型电子源。在由玻璃基板、陶瓷基板等的绝缘性基板构成的基板(1)一方的主表面上形成由层状导电性碳化物层构成的下部电极(2)。在下部电极(2)上形成无掺杂多晶硅层(3)。在多晶硅层(3)的上面形成由氧化多孔质多晶硅层构成的电子通过层(6)。电子通过层(6)由多晶硅与存在于该多晶硅颗粒边界附近的多个纳米级结晶硅混合而成的复合纳米级结晶层构成。在下部电极(2)与表面电极(7)之间，当被加载使表面电极(2)为高电位的电压时，电子(e-)从下部电极(2)朝向表面电极(7)的方向穿过电子通过层(6)，并通过表面电极(7)被发射到外部。
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公开(公告)号：CN1254173A
公开(公告)日：2000-05-24
申请号：CN99124377.3
申请日：1999-11-16
申请人： 松下电工株式会社
摘要： 本发明的场致发射型电子源10,设有n型硅衬底1、直接或通过非掺杂多晶硅层3在n型硅衬底1上形成的强电场漂移层6、以及强电场漂移层6上形成的为金薄膜的导电性薄膜7。n型硅衬底1背面设有欧姆电极2。其中,从n型硅衬底1注入强电场漂移层6的电子,在强电场漂移层6内向正面漂移,经过导电性薄膜7逸出。强电场漂移层6,通过靠阳极氧化处理使n型硅衬底1上形成的多晶硅3多孔化,再用稀硝酸等氧化形成。
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公开(公告)号：CN100562971C
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200480034906.X
申请日：2004-10-27
申请人： 松下电工株式会社
摘要： 在红外辐射元件(A)中，绝热层(2)沿厚度方向形成于半导体衬底(1)的表面上，其比半导体衬底(1)具有充分小的热导率，加热层(3)形成于绝热层(2)上，其为薄层(平面)形式且比绝热层(2)具有更大的热导率和更大的电导率，用于通电的成对的焊盘(4)形成于发热层(3)上。半导体衬底(1)由硅衬底制成。绝热层(2)和加热层(3)由孔隙率彼此不同的多孔硅层形成，且加热层(3)具有小于绝热层(2)的孔隙率。通过将该红外辐射元件(A)作为气敏传感器的红外辐射源，有可能延长红外辐射源的寿命。
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公开(公告)号：CN100399487C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN02801378.6
申请日：2002-04-24
申请人： 松下电工株式会社
CPC分类号： B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J1/312 , H01J9/022 , H01J9/025 , H01J2201/30446 , H01J2201/3125
摘要： 在场致发射型电子源(10)中，在n-型硅衬底(1)上设置强场漂移层(6)和由金薄膜构成的表面电极(7)。在n-型硅衬底(1)的背面上设置欧姆电极(2)。加給直流电压，使表面电极(7)相对于欧姆电极(2)成为正极性。按照这种方式，自欧姆电极(2)通过n-型硅衬底(1)注入到强场漂移层(6)中的电子在该强场漂移层(6)内漂移，并通过表面电极(7)被发射到外面。强场漂移层(6)具有大量纳米级的半导体超微晶粒(63)，部分地由构成所述强场漂移层(6)的半导体层形成，还有大量绝缘膜(64)，每个膜都形成在每个半导体超微晶粒(63)的表面上，这些薄膜的厚度使得发生电子穿透现象。
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