发明公开
- 专利标题： 场效应晶体管带通放大器
- 专利标题（英）： FET band amplifier
-
申请号： CN02801150.3申请日： 2002-02-21
-
公开(公告)号： CN1461519A公开(公告)日： 2003-12-10
- 发明人: 宫城弘
- 申请人： 新泻精密株式会社
- 申请人地址： 日本新泻县
- 专利权人： 新泻精密株式会社
- 当前专利权人： 日本新泻县
- 当前专利权人地址： 日本新泻县
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 杨凯; 王忠忠
- 优先权： 047324/2001 2001.02.22 JP
- 国际申请： PCT/JP2002/01540 2002.02.21
- 国际公布： WO2002/067415 JA 2002.08.29
- 进入国家日期： 2002-12-09
- 主分类号： H03F3/195
- IPC分类号： H03F3/195 ; H03F1/26
摘要：
本发明的目的是提供可以降低增益控制时的残留噪声的FET带通放大器。在AM(调幅)收信机中所含的FET频带放大器5设有如图示的5级放大器11－15和插入在它们中间的BPF(带通滤波器)16以及AGC(自动增益控制)电路8。BPF 16在通过比FET带通放大器全部放大频带更宽的频带成分的同时，通过除去从第3级放大器输出的信号中的低频成分来降低1/f噪声，通过除去高频成分来降低热噪声。因而，从末级放大器15输出的信号中所含的增益控制时的残留噪声就得到了降低。
公开/授权文献
- CN1236553C 场效应晶体管带通放大器 公开/授权日：2006-01-11
IPC分类:
