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公开(公告)号:CN101416387A
公开(公告)日:2009-04-22
申请号:CN200680054084.0
申请日:2006-11-08
CPC分类号: H03G3/3068 , H04B1/001
摘要: 对频率混合电路(4)的输出信号进行A/D转换并输入至DSP(8),生成与该信号的电平相应的AGC控制数据(DL),控制LNA(3)的增益以使输入至A/D转换电路(7)的输入电压小于该A/D转换电路(7)的满量程电压,由此,超过A/D转换电路(7)的动态范围的过大电平的信号不会输入到A/D转换电路(7)。而且,与通过BPF(11)之前的宽带宽信号的电平相应地来控制LNA(3)的增益,并且与通过BPF(11)之后的窄带宽信号的电平相应地来控制IF放大器(12)的增益,由此,考虑希望波及干扰波二者的信号电平,能够整体上适当地控制AGC的增益。
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公开(公告)号:CN100382208C
公开(公告)日:2008-04-16
申请号:CN200510003806.7
申请日:2000-08-10
IPC分类号: H01F17/00
CPC分类号: H01F17/0013 , H01F17/0006 , H01L23/522 , H01L23/5227 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
摘要: 本发明所提供一种即使在基板上形成的情况下,也能获得良好的特性的电感元件。电感元件(100)有在半导体衬底(110)的表面上形成的螺旋状的两条导体(120、122)。上层导体(120)和下层导体(122)有大致相同的形状,一个导体(120)作为电感导体使用,另一个导体(122)作为浮置导体使用。另外,引线(130、132)连接在导体(120)的外周端和内周端的每一端上,连接在内周端上的引线(132)通过下层导体(122)和半导体衬底(110)之间被引出到外周边一侧。
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公开(公告)号:CN1985456A
公开(公告)日:2007-06-20
申请号:CN200580021115.8
申请日:2005-06-08
申请人: 新泻精密株式会社
IPC分类号: H04H5/00
CPC分类号: H04B1/1646 , H04H40/63
摘要: 本发明可不使动态范围变窄地对分离电平进行调整。在输入混合信号的MOS晶体管Q5和输入基准电压的MOS晶体管Q6的源极之间并联连接有被串联连接的电阻R1与开关元件SW1、R2与SW2、R3与SW3......。在直流工作中,电阻R1~R5不影响MOS晶体管Q5的输出电压,在交流工作时,改变并联连接的电阻R1~R5的值,由此,可对分离电平进行调整。
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公开(公告)号:CN1973432A
公开(公告)日:2007-05-30
申请号:CN200580017977.3
申请日:2005-05-25
申请人: 新泻精密株式会社
摘要: 为了提供一种能够不受制造时电阻器、电容器等电路元件变化的影响抑制镜像信号的镜像抑制电路,本发明的镜像抑制电路包括第一混频器单元(2),用于将由接收机装置所接收的信号与由本地振荡器(1)所产生的第一本地振荡信号混频;第二混频器单元(3),用于将所接收的信号与第二本地振荡信号混频,所述第二本地振荡信号通过将由本地振荡器(1)产生的本地振荡信号移动90°来获得;多相滤波器电路(4),它包括电容器(C1)和开关电容器;以及合成输出单元(5),用于合成输出从多相滤波器电路(4)输出的IF信 号。
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公开(公告)号:CN1311625C
公开(公告)日:2007-04-18
申请号:CN02801151.1
申请日:2002-02-21
申请人: 新泻精密株式会社
发明人: 宫城弘
IPC分类号: H03F3/195
CPC分类号: H03F3/45645 , H03F3/16 , H03F3/193 , H03F3/195 , H03F2200/168 , H03F2200/54 , H03F2203/45051 , H03F2203/45458 , H03F2203/45526 , H03F2203/45631 , H03F2203/45652
摘要: 本发明的目的在于提供可获得高增益的FET频带放大器。AM接收机包含的FET频带放大器5由例如5级的放大器11~15和其间插入的BPF16构成。放大器11~15分别采用p沟道FET作为放大元件并作为差动放大器动作。BPF16使比整个FET频带放大器的放大频带宽的频带分量通过。通过除去由3级的放大器11~13放大的信号的低通分量,可以降低1/f噪声,通过除去高通分量可以降低热噪声。从而,BPF16的后级连接的放大器14、15不会因噪声分量引起饱和。
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公开(公告)号:CN1883112A
公开(公告)日:2006-12-20
申请号:CN200480033735.9
申请日:2004-11-11
申请人: 株式会社丰田自动织机 , 新泻精密株式会社
IPC分类号: H03G3/10
CPC分类号: H03G1/007 , H03G1/0029
摘要: 本发明的课题是提供可在低电源电压下使用,且电路内部发生的噪声较少的可变增益放大电路。在构成差动放大电路的2个MOS晶体管的源极间连接第三MOS晶体管,第三MOS晶体管的栅极上,被供给使第三MOS晶体管在非饱和区域工作的直流偏压。若AM可变增益放大电路的输出电压增加,则提供使第三MOS晶体管的源极/漏极间电阻变小的控制电压,AM中频可变增益放大电路的增益变小。
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公开(公告)号:CN1806331A
公开(公告)日:2006-07-19
申请号:CN200480016261.7
申请日:2004-06-11
申请人: 株式会社丰田自动织机 , 新泻精密株式会社 , 大见忠弘
IPC分类号: H01L27/092 , H03H19/00 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号: H01L29/66787 , H01L21/823807 , H01L21/82385 , H01L27/092
摘要: 在硅衬底上形成高度为HB、宽度为WB的矩形平行六面体突出部分(21),并且在该突出部分(21)的上壁表面及侧壁表面部分上形成栅极氧化膜,以形成MOS晶体管。上述准备的P沟道和n沟道MOS晶体管并联,以配置开关电容电路的开关。以这种方式,开关电容电路可表现出更小的漏泄电流和更小的DC偏置。
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公开(公告)号:CN1795613A
公开(公告)日:2006-06-28
申请号:CN200480014048.2
申请日:2004-07-12
申请人: 新泻精密株式会社
CPC分类号: H03J5/242 , H03J5/0245 , H03J2200/10 , H03L7/07 , H03L7/181
摘要: 通过设置将从基准振荡器(12)所输出的基准振荡信号频率,施行倍频的2倍频电路(21,22),便可将以晶体振荡器(11)频率fx=75KHz变为4倍的频率(300KHz),与经对AM无线电播放平均1频道所分配频率,乘以规定分频比的频率(54KHz)间的最大公约数,为基准振荡信号的频率,变为较大于以往状况,由此便可减小可程序计数器(17)的分频比,达缩小电路规模、锁相时间缩短化、及提升S/N比的效果。
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公开(公告)号:CN1252745C
公开(公告)日:2006-04-19
申请号:CN00811719.5
申请日:2000-08-10
申请人: 新泻精密株式会社
IPC分类号: H01F17/00
CPC分类号: H01F17/0013 , H01F17/0006 , H01L23/522 , H01L23/5227 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
摘要: 本发明提供一种即使在基板上形成的情况下,也能获得良好的特性的电感元件。电感元件(100)有在半导体衬底(110)的表面上形成的旋涡状的两条导体(120)、(122)。上层导体(120)和下层导体(122)有大致相同的形状,一个导体(120)作为电感导体使用,另一个导体(122)作为浮置导体使用。另外,引线(130)、(132)连接在导体(120)的外周端和内周端的每一端上,连接在内周端上的引线(132)通过下层导体(122)和半导体衬底(110)之间被引出到外周边一侧。
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公开(公告)号:CN1236553C
公开(公告)日:2006-01-11
申请号:CN02801150.3
申请日:2002-02-21
申请人: 新泻精密株式会社
发明人: 宫城弘
CPC分类号: H03F3/45645 , H03F3/16 , H03F3/193 , H03F3/195 , H03F2200/168 , H03F2200/54 , H03F2203/45051 , H03F2203/45458 , H03F2203/45526 , H03F2203/45631 , H03F2203/45652
摘要: 本发明的目的是提供可以降低增益控制时的残留噪声的FET带通放大器。在AM(调幅)收信机中所含的FET频带放大器(5)设有如图示的5级放大器(11-15)和插入在它们中间的BPF(带通滤波器)(16)以及AGC(自动增益控制)电路(8)。BPF(16)在通过比FET带通放大器全部放大频带更宽的频带成分的同时,通过除去从第3级放大器输出的信号中的低频成分来降低1/f噪声,通过除去高频成分来降低热噪声。因而,从末级放大器(15)输出的信号中所含的增益控制时的残留噪声就得到了降低。
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