发明公开
CN1497682A 等离子体处理方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 等离子体处理方法
- 专利标题(英): Plasma processing method
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申请号: CN200310101936.5申请日: 2003-10-15
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公开(公告)号: CN1497682A公开(公告)日: 2004-05-19
- 发明人: 山口智代
- 申请人: 东京毅力科创株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人: 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京纪凯知识产权代理有限公司
- 代理商 龙淳
- 优先权: 2002-300817 2002.10.15 JP
- 主分类号: H01L21/3065
- IPC分类号: H01L21/3065 ; H01L21/302
摘要:
本发明提供一种蚀刻速率、相对于SiO2的选择比及相对于有机物的选择比均高的SiC的等离子体蚀刻方法。对含有CHF3的蚀刻气体、含有CHF3和N2的气体、例如CHF3、N2和Ar的混合气体、或包含具有C、H与F的物质和具有N的物质、而不包含具有O的物质的蚀刻气体进行等离子体化,对SiC进行蚀刻。
公开/授权文献
- CN1257536C 等离子体处理方法 公开/授权日:2006-05-24