Invention Publication
CN1540720A 射束照射装置、射束照射方法及半导体装置的制作方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 射束照射装置、射束照射方法及半导体装置的制作方法
- Patent Title (English): Beam radiating device, its radiating method and mfg. method of semiconductor device
-
Application No.: CN200410036918.8Application Date: 2004-04-21
-
Publication No.: CN1540720APublication Date: 2004-10-27
- Inventor: 山崎舜平 , 田中幸一郎 , 宫入秀和
- Applicant: 株式会社半导体能源研究所
- Applicant Address: 日本神奈川县厚木市
- Assignee: 株式会社半导体能源研究所
- Current Assignee: 株式会社半导体能源研究所
- Current Assignee Address: 日本神奈川县厚木市
- Agency: 中国专利代理(香港)有限公司
- Agent 徐谦; 叶恺东
- Priority: 116391/2003 2003.04.21 JP
- Main IPC: H01L21/20
- IPC: H01L21/20 ; H01L21/324 ; G02F1/1368 ; G09F9/00 ; H01L21/336 ; H01L29/786
Abstract:
在由电反射镜及多面反射镜等扫描单元来扫描的激光的速度,扫描幅度的中心部与端部的速度不相同。其结果是,在被照射物(比如非晶质半导体膜)上会照射过多的能量,可能造成膜被剥离等。为此,本发明的特征在于:在由扫描单元等来使连续输出的能量射束在被照射物上的激光点往复运动来扫描的场合下,光点的扫描速度超出规定值(比如速度不稳定,增加、减少及成为零速)的场合(比如扫描方向改变的位置,或扫描开始位置及扫描结束位置)下的射束,照射到元件形成区之外。
Public/Granted literature
- CN1540720B 射束照射装置、射束照射方法及半导体装置的制作方法 Public/Granted day:2010-09-01
Information query
IPC分类: