发明公开
CN1581476A 无孔隙金属互连结构及其形成方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 无孔隙金属互连结构及其形成方法
- 专利标题(英): Void-free metal interconnection steucture and method of forming the same
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申请号: CN200410055814.1申请日: 2004-08-04
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公开(公告)号: CN1581476A公开(公告)日: 2005-02-16
- 发明人: 安正勋 , 李孝钟 , 李京泰 , 李敬雨 , 李守根 , 徐锋锡
- 申请人: 三星电子株式会社
- 申请人地址: 韩国京畿道
- 专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道
- 代理机构: 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 李晓舒; 魏晓刚
- 优先权: 53890/2003 2003.08.04 KR
- 主分类号: H01L23/52
- IPC分类号: H01L23/52 ; H01L21/768 ; H01L21/3205
摘要:
一种金属互连结构包括设置在第一层间电介质层中的下部金属互连层。在第一层间电介质层和下部金属层图形上设置暴露出下部金属层图形的一部分表面的具有通路接触孔的金属间电介质层。在金属间电介质层上形成暴露出通路接触孔的具有沟槽的第二层间电介质层。在通路接触的纵向表面和第二下部金属互连层图形的露出表面上形成阻挡金属层。在阻挡金属层上设置第一上部金属互连层图形,从而填充通路接触孔和一部分沟槽。在第一金属互连层图形上设置空隙扩散阻挡层,以及在空隙扩散阻挡层上设置第二上部金属互连层图形以完全填充沟槽。
公开/授权文献
- CN100392853C 无孔隙金属互连结构及其形成方法 公开/授权日:2008-06-04