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发明公开
CN1586005A 半导体集成器件的接触装置 失效 - 权利终止

半导体集成器件的接触装置
摘要：
一种集成器件具有：一第一导电区(6A)；一第二导电区(11A)；一绝缘层(9)，配置在第一与第二导电区之间；至少一个通孔(35)，延伸在第一与第二导电区之间的所述绝缘层(9)之中；以及一接触装置(10A)，制成在通孔之中并在电气上连接第一导电区(6A)和第二导电区(11B)。接触装置(10A)由一导电材料层(30)构成，后者敷盖通孔(36)的侧向表面和底部表面并围绕一空置区(35)，此空置区在顶部处由第二导电区(11A)封住。导电材料层(30)最好是包括一钛层(31)和一氮化钛层(32)，配置得彼此顶部相叠。
摘要（英）：

An integrated device having: a first conductive region; a second conductive region; an insulating layer arranged between the first and the second conductive region; at least one through opening extending in said insulating layer between the first and the second conductive region; and a contact structure formed in the through opening and electrically connecting the first contact region and the second conductive region. The contact structure is formed by a conductive material layer that coats the side surface and the bottom of the through opening and surrounds an empty region which is closed at the top by the second conductive region. The conductive material layer preferably comprises a titanium layer and a titanium-nitride layer arranged on top of one another.

公开/授权文献
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77 ..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78 ...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82 ....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822 .....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
H01L21/8232 ......场效应工艺
H01L21/8234 .......MIS工艺
H01L21/8239 ........存储器结构
H01L21/8246 .........只读存储器结构（ROM）
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