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公开(公告)号：CN1991313B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200610171900.8
申请日：2006-11-29
申请人： ST微电子公司
发明人： 汤玛索·昂加里蒂 , 欧内斯托·拉萨兰德拉
IPC分类号： G01D5/24 , G01D5/241 , G01D3/028 , G01P15/125
CPC分类号： G01P15/125 , G01P15/131
摘要： 一种装备有差分电容型传感器(1)和接口电路(30)的检测电路(42)，具有电连接到差分电容型传感器(1)的第一传感输入端(7a)和第二传感输入端(7b)。在接口电路中装备有：在输入端连接到第一传感输入端和第二传感输入端(7a、7b)的传感放大器(12)，其提供与差分电容型传感器(1)的电容型不平衡(ΔCs)相关的输出信号(Vo)；以及连接到第一传感输入端(7a)和第二传感输入端(7b)的共模控制电路(32)，其被配置来控制出现在第一传感输入端(7a)和第二传感输入端(7b)上的共模电量。共模控制电路(32)是完全无源类型的并且装备有电容型电路(34、35)，其与差分电容型传感器(1)的等效电路基本相同并且使用驱动信号(Vr)来驱动，该驱动信号(Vr)相对于施加到差分电容型传感器的读取信号(Vr)相位相反。
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公开(公告)号：CN1755938B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200510096675.1
申请日：2005-08-31
申请人： ST微电子公司
发明人： 丹尼洛·马斯科洛 , 詹弗兰科·切罗福利尼 , 詹圭多·里佐托
CPC分类号： H01L51/0021 , H01L51/0595 , Y10S977/712 , Y10S977/781
摘要： 一种纳米组件的接纳结构，其有益地包括：基片(1)；所述基片(1)上的n个阵列层(20，30，40)，n≥2，其在增长且平行的平面上连续地布置，每个阵列层包括和多个绝缘间隔物(12，42)交替出现且基本上垂直于所述基片(1)的多个导电间隔物(11，41)，以在连续的导电间隔物(11，41)之间限定至少一个间隙(13)，连续的阵列层(20，30，40)的导电间隔物位于不同且平行的平面上，不同阵列层的所述间隙(13)至少部分地沿着基本上垂直于所述基片(1)的方向排列，以限定沿着所述方向延伸且适合于接纳至少一个纳米组件的多个横向接纳座(13a，130a)。同样说明了包含这样的接纳结构的纳米电子器件以及用于实现它的方法。
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公开(公告)号：CN100433296C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN01823325.2
申请日：2001-04-19
申请人： ST微电子公司
IPC分类号： H01L21/8246 , H01L27/115 , H01L21/768
CPC分类号： H01L27/11502 , H01L21/76877
摘要： 一种集成器件具有：一第一导电区(6A)；一第二导电区(11A)；一绝缘层(9)，配置在第一与第二导电区之间；至少一个通孔(35)，延伸在第一与第二导电区之间的所述绝缘层(9)之中；以及一接触装置(10A)，制成在通孔之中并在电气上连接第一导电区(6A)和第二导电区(11B)。接触装置(10A)由一导电材料层(30)构成，后者敷盖通孔(36)的侧向表面和底部表面并围绕一空置区(35)，此空置区在顶部处由第二导电区(11A)封住。导电材料层(30)最好是包括一钛层(31)和一氮化钛层(32)，配置得彼此顶部相叠。
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公开(公告)号：CN101154731A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200610171856.0
申请日：2006-09-28
申请人： ST微电子公司
CPC分类号： H01M8/04171 , B82Y30/00 , H01M4/8657 , H01M8/04067 , H01M8/04291 , H01M8/1097 , H01M2004/8689
摘要： 一种覆盖有亲水聚合物层的燃料电池单元。
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公开(公告)号：CN101100639A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200610171911.6
申请日：2006-07-05
申请人： ST微电子公司
CPC分类号： B81C1/00111 , B81B2201/0214 , B81B2203/0361 , Y10S438/911
摘要： 一种制造包括一片测微齿棱的装置的方法，包括以下步骤：在载体上形成多晶层；使用包括氯气和氦气的气体混合物各向异性等离子体刻蚀全部或部分多晶层，由此在多晶层表面形成齿棱。
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公开(公告)号：CN101033984A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200610064336.X
申请日：2006-12-04
申请人： ST微电子公司
发明人： 托马索·昂加里蒂 , 欧内斯托·拉萨兰德拉
IPC分类号： G01D5/241 , G01P15/125 , H03K17/94
CPC分类号： G01P15/125
摘要： 电容性传感器的读取装置包括：信号源(104、C1、C2)，提供驱动所述电容性传感器(101)的第一电读取信号(VRD)；和离散时间读取电路(107)，响应于所述电读取信号(VRD)的变化，产生和所述电容性传感器(101)的电容变化(ΔCS)有关的电输出信号(VOM)。该装置还包括：调制器级(105、106)，用于根据电读取信号(VRD)产生调制的电读取信号(VRDM)和向所述电容性传感器(101)提供调制的电读取信号(VRDM)；解调器级(110)，连接到读取电路(107)，用于解调电输出信号(VOM)，并产生解调的电输出信号(VOM)；和低通滤波级(112)，用于根据调制的电输出信号(VOM)产生滤波的电输出信号(VOC)。
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公开(公告)号：CN1991313A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610171900.8
申请日：2006-11-29
申请人： ST微电子公司
发明人： 汤玛索·昂加里蒂 , 欧内斯托·拉萨兰德拉
IPC分类号： G01D5/24 , G01D5/241 , G01D3/028 , G01P15/125
CPC分类号： G01P15/125 , G01P15/131
摘要： 一种装备有差分电容型传感器(1)和接口电路(30)的检测电路(42)，具有电连接到差分电容型传感器(1)的第一传感输入端(7a)和第二传感输入端(7b)。在接口电路中装备有：在输入端连接到第一传感输入端和第二传感输入端(7a、7b)的传感放大器(12)，其提供与差分电容型传感器(1)的电容型不平衡(ΔCs)相关的输出信号(Vo)；以及连接到第一传感输入端(7a)和第二传感输入端(7b)的共模控制电路(32)，其被配置来控制出现在第一传感输入端(7a)和第二传感输入端(7b)上的共模电量。共模控制电路(32)是完全无源类型的并且装备有电容型电路(34、35)，其与差分电容型传感器(1)的等效电路基本相同并且使用驱动信号()来驱动，该驱动信号()相对于施加到差分电容型传感器的读取信号(Vr)相位相反。
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公开(公告)号：CN1943097A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200580008091.2
申请日：2005-03-01
申请人： ST微电子公司
发明人： 克劳迪奥·艾德拉格纳
IPC分类号： H02M1/00
CPC分类号： H02M1/32
摘要： 本发明涉及开关电源，尤其涉及用于保护开关电源中的反馈环路避免发生故障的方法和相关电路。更具体地说，它涉及一种用于识别输出处的过高电压状态的电路。在一个实施例中，用于保护开关电源中的反馈环路避免发生故障的电路包括：用于产生与所述开关电源的输出电压成比例的电压的部件(vaux R1，R2)；用于将所述与输出电压成比例的电压与参考电压进行比较的比较器(15)；被连接到所述比较器的计数器(17)，当所述与输出电压成比例的电压超过所述参考电压达预设次数时，能提供输出信号；所述输出信号是所述反馈环路故障的指示。
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公开(公告)号：CN1292628C
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN02144318.1
申请日：2002-10-09
申请人： ST微电子公司
发明人： 帕斯卡尔·加蒂斯
CPC分类号： H01L28/10 , H01F17/0006 , H01F41/041 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/5227 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种在包括衬底的单片电路中制作电感和穿透通道的方法，包括按要形成的电感形状从衬底的第一表面形成至少一个沟槽的步骤；在衬底中由激光在通道所需位置处形成穿透孔；同时绝缘沟槽和孔的表面；并且在沟槽中以及至少在孔壁上沉积导电材料。
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公开(公告)号：CN1279616C
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN02800153.2
申请日：2002-01-22
申请人： ST微电子公司
发明人： 罗伯特·佩扎尼
IPC分类号： H01L27/06
CPC分类号： H01L27/0611
摘要： 本发明涉及配置于一块半导体芯片之上的一个垂直型电源开关，它包括位于所述芯片的至少一个表面的外周之上的一个绕组(30)，所述绕组包括两个接线柱(31，32)，它提供与在所述开关中的电流起伏成正比的信号。
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