• 专利标题: 功率半导体器件或模块的主动式蒸发散热技术
  • 专利标题(英): Active evaporating radiation tech of power semiconductor device or modular
  • 申请号: CN200410012586.X
    申请日: 2004-10-27
  • 公开(公告)号: CN1601733A
    公开(公告)日: 2005-03-30
  • 发明人: 原泽原亮
  • 申请人: 原泽
  • 申请人地址: 河北省石家庄市合作路268号4-3-202
  • 专利权人: 原泽
  • 当前专利权人: 原泽
  • 当前专利权人地址: 河北省石家庄市合作路268号4-3-202
  • 代理机构: 石家庄国域专利事务所有限公司
  • 代理商 胡澎
  • 主分类号: H01L23/44
  • IPC分类号: H01L23/44 H01L23/427 H01L23/373 H01L23/34 H05K7/20
功率半导体器件或模块的主动式蒸发散热技术
摘要:
本发明涉及一种功率型半导体器件或模块的主动式蒸发散热技术。该技术是将功率半导体器件或模块的外壳制成中空封闭的壳体,其中充填绝缘蒸发冷却介质,在外壳上部设有冷凝器,二者通过管路联通。本发明以半导体器件或模块的壳体作为蒸发器的外壳,形成全封闭的冷却循环系统,具有极高的冷却散热效率,相当于相同几何尺寸的良导体(如实心铜)导热率的350倍以上。可实现多个功率器件或模块,特别是不同功率、不同发热量的器件或模块,在高度一体化或高度集成化的条件下,集中工作与散热。本发明适于对高热密度大功率器件的冷却和对高密度安装或集成了大功率器件的组合体进行冷却。
0/0