发明公开
- 专利标题： 用于生长Ⅱ－Ⅵ族和Ⅲ－Ⅴ族化合物单晶体的装置
- 专利标题（英）： Apparatus for growing monocrystalline group II-VI and III-V compounds
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申请号： CN03806902.4申请日： 2003-03-13
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公开(公告)号： CN1643189A公开(公告)日： 2005-07-20
- 发明人: X·G·刘 , W·刘
- 申请人： AXT公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： AXT公司
- 当前专利权人： AXT公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 北京纪凯知识产权代理有限公司
- 代理商 赵蓉民
- 优先权： 10/097,844 2002.03.14 US
- 国际申请： PCT/US2003/007481 2003.03.13
- 国际公布： WO2003/078704 EN 2003.09.25
- 进入国家日期： 2004-09-24
- 主分类号： C30B35/00
- IPC分类号： C30B35/00 ; C30B28/00 ; C30B28/08 ; C30B29/40 ; C30B29/48
摘要：
一种用于生产大直径III－V族和II－VI族化合物单晶体的装置(100)，此化合物有减小的晶体缺陷密度、提高的晶体生长产率和提高的体材料特性。此装置(100)包括：坩埚或者舟(130)、用于容纳坩埚或者舟(130)的安瓿(120)、环绕安瓿(120)设置的加热装置(123)、以及设置在加热装置(123)和安瓿(120)之间的衬套(122)。衬套(122)优选由石英材料构成。当衬套(122)和安瓿(120)由相同材料例如石英制成的时候，衬套(122)的热膨胀系数和安瓿(120)的热膨胀系数是相同的，这明显地提高衬套(122)的寿命和单晶产率。
IPC分类:
