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公开(公告)号：CN1765006A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200480007799.1
申请日：2004-03-02
申请人： AXT公司
IPC分类号： H01L21/26 , H01L21/324 , H01L21/42 , H01L21/477
CPC分类号： H01L21/67115 , C30B29/42 , C30B33/00 , H01L21/67109
摘要： 一个处理多个晶片的装置和方法，其用于减少杂质的密度，同时提高衬底电特性的均匀性，且没有任何的热应力。对晶片进行化学处理，并在密闭反应管中，在砷超压下，利用可控制的热分布来对晶片进行热处理以加热晶片。热分布控制炉内的不同区域的温度，该炉包含密封反应管。晶片的杂质被溶解，且从晶片的内部向外扩散到晶片的外部。
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公开(公告)号：CN102356186B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201080002216.1
申请日：2010-12-13
申请人： AXT公司 , 北京通美晶体技术有限公司
摘要： 公开了用于晶体生长的系统和方法，包括在已生长的锗晶体中减少微坑腔密度的特征。在一个示例实施方式中，提供了一种方法：将带有原材料的安瓿插入具有加热源的炉；使用垂直生长法生长晶体，其中实现结晶化温度梯度相对于原材料/坩埚的运动以熔化该原材料；以及，以预定晶体生长长度生长该原材料以实现单晶晶体，其中可重复地提供具有减少的微坑密度的单晶锭。
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公开(公告)号：CN102356186A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201080002216.1
申请日：2010-12-13
申请人： AXT公司
摘要： 本发明公开了用于晶体生长的系统和方法，包括在已生长的锗晶体中减少微坑腔密度的特征。在一个示例实施方式中，提供了一种方法：将带有原材料的安瓿插入具有加热源的炉；使用垂直生长法生长晶体，其中实现结晶化温度梯度相对于原材料/坩埚的运动以熔化该原材料；以及，以预定晶体生长长度生长该原材料以实现单晶晶体，其中可重复地提供具有减少的微坑密度的单晶锭。
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公开(公告)号：CN101781526A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200910001587.7
申请日：2009-01-15
申请人： AXT公司
IPC分类号： C09G1/18 , H01L21/304
CPC分类号： C09G1/04 , H01L21/02024
摘要： 本发明涉及用于GaAs晶片的化学抛光溶液和化学抛光方法。本发明的用于GaAs晶片化学抛光的化学抛光溶液，除水以外，其组成是二氯代异氰尿酸盐、磺酸盐、酸式焦磷酸盐、碳酸氢盐和碳酸盐。本发明的化学抛光方法，包括在化学抛光设备中，在所述抛光溶液存在下对晶片实施化学抛光。采用本发明的溶液和方法可以提高晶片质量、降低成本并能够降低对环境的污染。
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公开(公告)号：CN101775257A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200910000511.2
申请日：2009-01-14
申请人： AXT公司
IPC分类号： C09G1/18 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02024 , C09G1/02
摘要： 本发明涉及用于GaAs晶片的机械化学粗抛光溶液和机械化学粗抛光方法，本发明的用于GaAs晶片的机械化学粗抛光溶液，除水以外，包括二氯代异氰尿酸盐、磺酸盐、焦磷酸盐、碳酸氢盐和硅溶胶。本发明的机械化学粗抛光方法，包括在机械化学粗抛光设备中，在所述抛光溶液存在下，对晶片实施机械化学粗抛光。采用本发明的溶液和方法，可以提高GaAs晶片的平整度质量，以及晶片表面镜面质量，同时能够降低机械化学粗抛光作业成本及对环境的影响。
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公开(公告)号：CN101736401B
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN200810177006.0
申请日：2008-11-10
申请人： AXT公司 , 北京通美晶体技术有限公司
发明人： 刘卫国
CPC分类号： C30B29/08 , C30B11/00 , C30B11/003 , C30B11/02 , Y10T117/1024
摘要： 锗晶体生长的方法和装置。所述方法包括：将第一Ge原料装入一个坩埚中，所述坩埚带有放置有晶种的晶种槽；将第二Ge原料装入一个将置于石英安瓿内的用以补充Ge原料的装载容器中；将所述坩埚和装载容器密封在一个石英安瓿内；将密封有所述坩埚和装载容器的石英安瓿放入一个具有可移动的安瓿支座的晶体生长熔炉中，所述支座支承安瓿；熔化坩埚中的第一Ge原料从而生成一种熔融体；熔化容器中的第二Ge原料，并将第二Ge原料添至熔融体中；控制熔融体的结晶温度梯度，使熔融体与晶种接触的时候结晶形成单晶锗晶棒；冷却单晶锗晶棒。本发明还提供可用于实施该方法的装置，其中包括一个装载容器，其中形成单晶锗晶棒的过程包括在晶棒生长区建立0.3-2.5℃/cm的温度梯度。
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公开(公告)号：CN102797032A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210257159.2
申请日：2002-07-03
申请人： AXT公司 , 北京通美晶体技术有限公司
IPC分类号： C30B11/00
CPC分类号： C30B27/00 , C30B11/00 , C30B11/002 , C30B11/04 , C30B11/12 , C30B29/42 , C30B35/002 , Y10T117/1092
摘要： 本发明为具有坚固支撑、碳掺杂、电阻率控制和热梯度控制的半导体晶体生长的方法和装置。在含有一个坚固密封的安瓿瓶及与原料非物质接触以掺碳的系统中，在电阻加热控制和热梯度控制下，在晶体生长炉内生长Ⅲ-Ⅴ，Ⅱ-Ⅵ族及其相关单晶化合物晶体。提供了一个以坚固圆柱体来支撑装有坩埚且密封的安瓿瓶的组合体，同时圆柱体中填充有低密绝缘物质用来阻止热传导和热对流。在低密物质的中间打有热辐射通道用来提供热辐射的路径，通过这条通道，热可以进出籽井区域和晶体生长坩埚的传热区域。在籽井的下方由绝缘物质形成中空的芯区，为生长中的晶体提供了冷却条件。这就确保了系统中能生长出均匀的大体积晶体，同时还保证了生长中的晶体和熔液的固液界面平滑，进而使得晶体具有均匀的电特性。
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公开(公告)号：CN102220628A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110144303.7
申请日：2002-07-03
申请人： AXT公司 , 北京通美晶体技术有限公司
CPC分类号： C30B27/00 , C30B11/00 , C30B11/002 , C30B11/04 , C30B11/12 , C30B29/42 , C30B35/002 , Y10T117/1092
摘要： 本发明涉及一种生长半导体晶体的装置。在封闭安瓿的坚固支座、碳掺杂和电阻控制、及温度控制条件下，在晶体生长炉中生长Ⅲ-Ⅴ、Ⅱ-Ⅵ族及其相关单晶化合物。支座圆筒对于组合的封闭的安瓿和坩埚组件提供了支撑，同时该支座圆筒内的低密度绝缘材料阻碍了传导和对流加热。穿透低密度材料的热辐射通道对于热辐射进出坩埚的籽井和过渡区提供了路径。在绝缘材料中的中空的芯直接位于籽井的下方，为生长中的晶体的中央提供了冷却，其确保了晶体结晶块均匀而平滑地生长，同时还保证了晶体和熔体分界面的平滑，进而产生具有均匀电特性的圆片。
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公开(公告)号：CN101555620A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200810089545.9
申请日：2008-04-07
申请人： AXT公司
CPC分类号： C30B11/007 , C30B11/002 , C30B11/003 , C30B29/42 , C30B35/00 , Y10T117/1032 , Y10T117/1056 , Y10T117/1068
摘要： 本发明公开一种采用VGF和VB生长工艺进行晶体生长的系统和方法减少体嵌晶。在一个示例性的实施例中，提供一种将装有原材料的安瓿插入到具有加热源的炉中，采用垂直梯度凝固工艺生长晶体，其中所述结晶温度梯度可以相对于所述晶体和/或炉移动，从而熔化所述原材料并转化成单晶化合物，以及采用垂直布里奇曼工艺在坩埚上生长晶体，其中所述安瓿/加热源可以进行相对移动，以继续熔化所述原材料并转化成单晶化合物。
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公开(公告)号：CN1643189A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN03806902.4
申请日：2003-03-13
申请人： AXT公司
CPC分类号： C30B11/003 , C30B29/40 , C30B29/48 , Y10T117/10
摘要： 一种用于生产大直径III－V族和II－VI族化合物单晶体的装置(100)，此化合物有减小的晶体缺陷密度、提高的晶体生长产率和提高的体材料特性。此装置(100)包括：坩埚或者舟(130)、用于容纳坩埚或者舟(130)的安瓿(120)、环绕安瓿(120)设置的加热装置(123)、以及设置在加热装置(123)和安瓿(120)之间的衬套(122)。衬套(122)优选由石英材料构成。当衬套(122)和安瓿(120)由相同材料例如石英制成的时候，衬套(122)的热膨胀系数和安瓿(120)的热膨胀系数是相同的，这明显地提高衬套(122)的寿命和单晶产率。
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