发明公开
CN1649126A 用于在半导体器件中形成互连线的方法及互连线结构
失效 - 权利终止
- 专利标题: 用于在半导体器件中形成互连线的方法及互连线结构
- 专利标题(英): Method for forming interconnection line in semiconductor device and interconnection line structure
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申请号: CN200510005832.3申请日: 2005-01-27
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公开(公告)号: CN1649126A公开(公告)日: 2005-08-03
- 发明人: 李敬雨 , 慎烘縡 , 金在鹤 , 魏荣振 , 李承珍 , 朴起宽
- 申请人: 三星电子株式会社
- 申请人地址: 韩国京畿道
- 专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道
- 代理机构: 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 陶凤波; 侯宇
- 优先权: 5520/2004 2004.01.28 KR
- 主分类号: H01L21/768
- IPC分类号: H01L21/768 ; H01L23/52
摘要:
本发明公开了用于形成互连线的方法和互连线结构。该方法包括:在半导体衬底上形成层间绝缘层,其中该层间绝缘层由掺碳的低k值介电层形成;在该层间绝缘层上形成氧化阻挡层;在该氧化阻挡层上形成氧化物覆盖层;在该氧化物覆盖层、氧化阻挡层和层间绝缘层中形成通孔;在该通孔之内形成导电层图案。
公开/授权文献
- CN100349281C 用于在半导体器件中形成互连线的方法及互连线结构 公开/授权日:2007-11-14