MOS晶体管具备：第1导电型区域；第2导电型漏极区域，其被形成在所述第1导电型区域的表层部上；第2导电型源极区域，其在所述第1导电型区域的表层部上，在与所述第2导电型漏极区域之间上间隔沟道区域而被形成；栅极电极，其被形成在所述沟道区域上；第2导电型基极区域，其俯视来看被形成在所述第2导电型漏极区域的内侧上；多个第1导电型发射极区域，其在该第2导电型基极区域内的表层部上，在规定方向互上互相空以间隔而被形成；漏极接点，其跨接在互相邻接的第1导电型发射极区域和该第1导电型发射极区域间的所述第2导电型漏极区域。