发明公开
CN1770456A 具有探针阵列的电阻式存储装置及其制造方法
失效 - 放弃专利权
- 专利标题: 具有探针阵列的电阻式存储装置及其制造方法
- 专利标题(英): Resistive memory device having array of probes and method of manufacturing the resistive memory device
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申请号: CN200510092119.7申请日: 2005-08-19
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公开(公告)号: CN1770456A公开(公告)日: 2006-05-10
- 发明人: 洪承范 , 丁柱焕 , 高亨守 , 朴弘植 , 闵桐基 , 金恩植 , 朴哲民 , 金成栋 , 白庚录
- 申请人: 三星电子株式会社
- 申请人地址: 韩国京畿道
- 专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道
- 代理机构: 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 陶凤波; 侯宇
- 优先权: 88163/04 2004.11.02 KR
- 主分类号: H01L27/10
- IPC分类号: H01L27/10 ; H01L21/822
摘要:
提供了一种具有探针阵列的电阻式存储装置及其制造方法。所述电阻式存储装置包括:存储部分,其具有依次形成在第一衬底上的底电极和铁电层;探针部分,其具有设置在第二衬底上的电阻式探针的阵列,所述电阻式探针的尖端面对所述铁电层使得所述电阻式探针能够在所述铁电层上写和读数据;以及粘合层,其将所述电阻式探针抓住并固定在所述铁电层上或所述铁电层上方。该电阻式存储装置的制造方法包括:在第一衬底上依次形成底电极和铁电层;在第二衬底上形成用于写和读数据的电阻式探针的阵列;以及使用粘合层将所述第一衬底晶片级结合到所述第二衬底上使得所述电阻式探针的尖端面对所述铁电层的表面。
IPC分类: