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公开(公告)号：CN1604212B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200410092149.3
申请日：2004-09-06
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： B82Y10/00 , G11B9/02 , G11B9/14 , G11B9/1409 , G11B9/149 , G11B13/00 , G11B2005/0021
摘要： 提供一种使用探针技术在存储装置上写入数据的方法。在将数据写入到存储装置上的方法中，该存储装置包括一用于读写数据的阻性探针，一通过阻性探针将数据写到上面的铁电写介质和一个安置在铁电写介质下表面上的降低电极，通过在阻性探针和降低电极上施加一电压，同时将热量和电场施加到铁电写介质上用于写数据的区域。
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公开(公告)号：CN1508775A
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：CN03148462.X
申请日：2003-06-30
申请人： 三星电子株式会社
发明人： 金成栋
CPC分类号： B82Y10/00 , G11B5/00 , G11B5/66 , G11B5/74 , G11B9/10 , G11B9/1409 , G11B2005/0002 , G11B2005/0005
摘要： 本发明提供了一种磁记录介质、和一种利用电子的自旋相关的散射读取数据的装置和方法。该装置包括探针、磁记录介质、控制单元、和测量单元。探针通过肖特基结、或隧道势垒发射热电子。磁记录介质包括基底、在基底上的第一磁层、在第一磁层上的非磁层、和在非磁层上的第二磁层，所述第二磁层具有与第一磁层的磁化方向平行、或反向平行的磁化方向。控制单元向探针施加电压，以便探针可以发射热电子。测量单元通过检测在基底的输出电流，来读取记录在磁记录介质上的数据，所述输出电流按照第一和第二磁层的磁化的平行、或反向平行状态而变化。
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公开(公告)号：CN1831950A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610059110.0
申请日：2003-06-30
申请人： 三星电子株式会社
发明人： 金成栋
CPC分类号： B82Y10/00 , G11B5/00 , G11B5/66 , G11B5/74 , G11B9/10 , G11B9/1409 , G11B2005/0002 , G11B2005/0005
摘要： 本发明提供了一种磁记录介质和一种利用电子的自旋相关的散射读取数据的装置和方法。该装置包括探针、磁记录介质、控制单元和测量单元。探针通过肖特基结、或隧道势垒发射热电子。磁记录介质包括基底、在基底上的第一磁层、在第一磁层上的非磁层和在非磁层上的第二磁层，所述第二磁层具有与第一磁层的磁化方向平行、或反向平行的磁化方向。控制单元向探针施加电压，以便探针可以发射热电子。测量单元通过检测在基底的输出电流，来读取记录在磁记录介质上的数据，所述输出电流按照第一和第二磁层的磁化的平行、或反向平行状态而变化。
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公开(公告)号：CN1831943A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610059111.5
申请日：2003-06-30
申请人： 三星电子株式会社
发明人： 金成栋
IPC分类号： G11B5/00 , G11B5/64 , G11B11/11 , G11B11/115
CPC分类号： B82Y10/00 , G11B5/00 , G11B5/66 , G11B5/74 , G11B9/10 , G11B9/1409 , G11B2005/0002 , G11B2005/0005
摘要： 本发明提供了一种磁记录介质、和一种利用电子的自旋相关的散射读取数据的装置和方法。该装置包括探针、磁记录介质、控制单元和测量单元。探针通过肖特基结、或隧道势垒发射热电子。磁记录介质包括基底、在基底上的第一磁层、在第一磁层上的非磁层、和在非磁层上的第二磁层，所述第二磁层具有与第一磁层的磁化方向平行、或反向平行的磁化方向。控制单元向探针施加电压，以便探针可以发射热电子。测量单元通过检测在基底的输出电流，来读取记录在磁记录介质上的数据，所述输出电流按照第一和第二磁层的磁化的平行、或反向平行状态而变化。
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公开(公告)号：CN1822220A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610001111.X
申请日：2006-01-11
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G11C11/22
CPC分类号： G11B9/02 , G11C11/5657 , Y10S977/947
摘要： 本发明提供了一种铁电记录介质及其写入方法。该铁电记录介质包括：铁电层，当接收预定的矫顽电压时铁电层反转其极化；非易失性各向异性导电层，形成在铁电层上。当各向异性导电层接收低于矫顽电压的第一电压时，其电阻减小，当各向异性导电层接收高于矫顽电压的第二电压时，其电阻增大。通过铁电层的极化状态和各向异性导电层的电阻的结合来存储多位信息。因此，可在铁电记录介质的一个畴上表示多位信息。
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公开(公告)号：CN100505090C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200610001111.X
申请日：2006-01-11
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G11C11/22
CPC分类号： G11B9/02 , G11C11/5657 , Y10S977/947
摘要： 本发明提供了一种铁电记录介质及其写入方法。该铁电记录介质包括：铁电层，当接收预定的矫顽电压时铁电层反转其极化；非易失性各向异性导电层，形成在铁电层上。当各向异性导电层接收低于矫顽电压的第一电压时，其电阻减小，当各向异性导电层接收高于矫顽电压的第二电压时，其电阻增大。通过铁电层的极化状态和各向异性导电层的电阻的结合来存储多位信息。因此，可在铁电记录介质的一个畴上表示多位信息。
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公开(公告)号：CN1831986A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610059109.8
申请日：2003-06-30
申请人： 三星电子株式会社
发明人： 金成栋
CPC分类号： B82Y10/00 , G11B5/00 , G11B5/66 , G11B5/74 , G11B9/10 , G11B9/1409 , G11B2005/0002 , G11B2005/0005
摘要： 本发明提供了一种磁记录介质、和一种利用电子的自旋相关的散射读取数据的装置和方法。该装置包括探针、磁记录介质、控制单元、和测量单元。探针通过肖特基结、或隧道势垒发射热电子。磁记录介质包括基底、在基底上的第一磁层、在第一磁层上的非磁层、和在非磁层上的第二磁层，所述第二磁层具有与第一磁层的磁化方向平行、或反向平行的磁化方向。控制单元向探针施加电压，以便探针可以发射热电子。测量单元通过检测在基底的输出电流，来读取记录在磁记录介质上的数据，所述输出电流按照第一和第二磁层的磁化的平行、或反向平行状态而变化。
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公开(公告)号：CN1805166A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200510135660.1
申请日：2005-12-27
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 提供了一种MLD(磁逻辑装置)以及制造和操作该磁逻辑装置的方法。所述MLD包括：第一互连部分；下磁层，形成在所述第一互连部分上，所述下磁层的磁方向被固定为预定方向；非磁层，形成在所述下磁层上；上磁层，形成在所述非磁层上，所述上磁层的磁方向与所述下磁层的磁方向平行或反向平行；第二互连部分，形成在所述上磁层上。第一电流源置于第一互连部分的一端和第二互连部分的一端之间，第二电流源置于第一互连部分的另一端和第二互连部分的另一端之间。
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公开(公告)号：CN1697020A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510072696.X
申请日：2003-10-14
申请人： 三星电子株式会社
发明人： 金成栋
摘要： 本发明提供一种使用旋转极化电子的磁性介质、在该磁性介质上记录数据的装置和方法。该磁性介质包括一个极化层和一个磁性记录层。极化层旋转极化电子。在磁性记录层，磁化方向依赖电子的极化方向而改变。数据记录装置一个光源和一个探针。光源辐射圆形偏振光，探针把被圆形偏振光旋转极化的电子注射进磁性介质，并为了在磁性介质上记录数据改变磁性介质的磁化方向。因为磁化方向用旋转极化电子来调整，所以能实现快速的数据记录。
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公开(公告)号：CN1604212A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410092149.3
申请日：2004-09-06
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： B82Y10/00 , G11B9/02 , G11B9/14 , G11B9/1409 , G11B9/149 , G11B13/00 , G11B2005/0021
摘要： 提供一种使用探针技术在存储装置上写入数据的方法。在将数据写入到存储装置上的方法中，该存储装置包括一用于读写数据的阻性探针，一通过阻性探针将数据写到上面的铁电写介质和一个安置在铁电写介质下表面上的降低电极，通过在阻性探针和降低电极上施加一电压，同时将热量和电场施加到铁电写介质上用于写数据的区域。
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