Invention Publication
CN1783480A 半导体器件及其制造方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 半导体器件及其制造方法
- Patent Title (English): Semiconductor device and method for manufacturing the same
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Application No.: CN200510129046.4Application Date: 2005-11-30
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Publication No.: CN1783480APublication Date: 2006-06-07
- Inventor: 伊佐敏行 , 山崎舜平
- Applicant: 株式会社半导体能源研究所
- Applicant Address: 日本神奈川
- Assignee: 株式会社半导体能源研究所
- Current Assignee: 株式会社半导体能源研究所
- Current Assignee Address: 日本神奈川
- Agency: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- Agent 岳耀锋
- Priority: 2004-347898 2004.11.30 JP
- Main IPC: H01L23/522
- IPC: H01L23/522 ; H01L21/768

Abstract:
提供一种半导体器件及其制造方法,在半导体器件的制造工艺中,电镀和CMP已经导致增加用于形成布线的制造成本的一种问题。相应地,在其上形成掩模之后,在多孔绝缘膜中形成开口,并将含有Ag的导电材料注入开口内。进一步地,通过选择性激光照射烘焙注入开口内的导电材料,形成第一导电层。随后,通过溅射,在整个表面之上形成金属膜,此后去除掩模,以便在第一导电层之上仅仅保留金属膜,由此形成由含有Ag的第一导电层和第二导电层(金属膜)的叠层形成的嵌入布线层。
Public/Granted literature
- CN100555621C 半导体器件及其制造方法 Public/Granted day:2009-10-28
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IPC分类: